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MJD31T4G

MJD31T4G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD31T4G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 1.56 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN.

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MJD31T4G MJD31T4G onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.56 W
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MJD31T4G MJD31T4G onsemi mjd31-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN
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