MJD31T4G ON Semiconductor
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Technische Details MJD31T4G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1.56 W.
Weitere Produktangebote MJD31T4G nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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MJD31T4G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4092 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD31T4G | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.56 W |
auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD31T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN |
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MJD31T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MJD31T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJD31T4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| MJD31T4G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
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| 500+ | 0.99 EUR |
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| MJD31T4G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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| 2+ | 2.98 EUR |
| 10+ | 1.89 EUR |
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| MJD31T4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MJD31T4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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