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MJD32CT4G

MJD32CT4G ON Semiconductor

mjd31-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD32CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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MJD32CT4G MJD32CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD32CT4G MJD32CT4G Hersteller : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
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2500+0.55 EUR
5000+ 0.52 EUR
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MJD32CT4G MJD32CT4G Hersteller : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
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21+ 1.25 EUR
100+ 0.87 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.62 EUR
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MJD32CT4G MJD32CT4G Hersteller : onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
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36+1.45 EUR
48+ 1.1 EUR
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500+ 0.72 EUR
1000+ 0.62 EUR
2500+ 0.55 EUR
5000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 36
MJD32CT4G MJD32CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD32CT4G MJD32CT4G Hersteller : ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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MJD32CT4G MJD32CT4G Hersteller : ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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MJD32CT4G MJD32CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
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MJD32CT4G MJD32CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD32CT4G Hersteller : ONSEMI mjd31-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 25...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJD32CT4G Hersteller : ONSEMI mjd31-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 25...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
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