Produkte > ONSEMI > MJD32T4G
MJD32T4G

MJD32T4G onsemi

mjd31-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJD32T4G onsemi

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1.56 W.

Weitere Produktangebote MJD32T4G nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MJD32T4G MJD32T4G Hersteller : onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
auf Bestellung 2299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.05 EUR
10+0.80 EUR
100+0.65 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4G MJD32T4G Hersteller : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 3074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.76 EUR
15+1.18 EUR
100+0.82 EUR
500+0.66 EUR
1000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4G MJD32T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0001514680-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MJD32T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4G MJD32T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4G MJD32T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4G MJD32T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD32T4G MJD32T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd31-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH