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MJD41CT4G

MJD41CT4G onsemi

mjd41c-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 24300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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Technische Details MJD41CT4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote MJD41CT4G nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MJD41CT4G MJD41CT4G ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+0.65 EUR
225+0.63 EUR
271+0.51 EUR
272+0.5 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 223
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MJD41CT4G MJD41CT4G ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.78 EUR
223+0.63 EUR
225+0.6 EUR
271+0.48 EUR
272+0.46 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 186
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MJD41CT4G MJD41CT4G ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+0.86 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 169
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MJD41CT4G MJD41CT4G onsemi mjd41c-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN
auf Bestellung 6030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.88 EUR
10+1.19 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD41CT4G MJD41CT4G onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 24802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.88 EUR
15+1.18 EUR
100+0.78 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJD41CT4G MJD41CT4G ONSEMI 1842020.pdf Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD41CT4G MJD41CT4G ONSEMI 1842020.pdf Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 718 Stücke:
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Anzahl Preis
223+0.65 EUR
225+0.63 EUR
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223+0.63 EUR
225+0.6 EUR
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272+0.46 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 186
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Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN
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Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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Anzahl Preis
10+1.88 EUR
15+1.18 EUR
100+0.78 EUR
500+0.6 EUR
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Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
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Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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