MJD41CT4G ON Semiconductor
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Technische Details MJD41CT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MJD41CT4G nach Preis ab 0.71 EUR bis 1.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJD41CT4G | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS NPN 100V 6A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
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MJD41CT4G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN |
auf Bestellung 2023 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MJD41CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD41CT4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 4914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD41CT4G |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MJD41CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD41CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD41CT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD41CT4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W |
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