Technische Details MJD42CT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MJD42CT4G nach Preis ab 0.43 EUR bis 2.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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MJD42CT4G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD42CT4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD42CT4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD42CT4G | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1.75 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A |
auf Bestellung 1810 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD42CT4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP |
auf Bestellung 1673 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD42CT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MJD42CT4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MJD42CT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJD42CT4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.46 EUR |
| 5000+ | 0.43 EUR |
| MJD42CT4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 316+ | 0.56 EUR |
| 345+ | 0.49 EUR |
| MJD42CT4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 274+ | 0.64 EUR |
| 309+ | 0.55 EUR |
| 316+ | 0.52 EUR |
| 345+ | 0.44 EUR |
| MJD42CT4G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 1.95 EUR |
| 18+ | 1.21 EUR |
| 100+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| MJD42CT4G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
auf Bestellung 1673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.05 EUR |
| 10+ | 1.29 EUR |
| 100+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| 2500+ | 0.48 EUR |
| MJD42CT4G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MJD42CT4G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MJD42CT4G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)