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MJD42CT4G

MJD42CT4G ON Semiconductor

mjd41c-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD42CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD42CT4G MJD42CT4G Hersteller : ON Semiconductor mjd41c-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD42CT4G MJD42CT4G Hersteller : onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
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2500+0.45 EUR
5000+0.41 EUR
7500+0.39 EUR
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auf Bestellung 1258 Stücke:
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Anzahl Preis
280+0.52 EUR
322+0.43 EUR
331+0.41 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 280
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2500+0.56 EUR
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244+0.59 EUR
291+0.48 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 244
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232+0.62 EUR
269+0.52 EUR
280+0.48 EUR
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1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 232
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MJD42CT4G MJD42CT4G Hersteller : onsemi MJD41C_D-1811456.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
auf Bestellung 18090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.14 EUR
10+0.87 EUR
100+0.64 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJD42CT4G MJD42CT4G Hersteller : onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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Anzahl Preis
10+1.76 EUR
17+1.1 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJD42CT4G MJD42CT4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013307625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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