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MJD42CT4G

MJD42CT4G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD42CT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MJD42CT4G nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD42CT4G MJD42CT4G ON Semiconductor mjd41cd.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD42CT4G MJD42CT4G onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+0.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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254+0.7 EUR
299+0.58 EUR
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MJD42CT4G MJD42CT4G onsemi mjd41c-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
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MJD42CT4G MJD42CT4G onsemi mjd41c-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD42CT4G MJD42CT4G ONSEMI ONSM-S-A0013307625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1765 Stücke:
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105+2.39 EUR
166+1.4 EUR
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MJD42CT4G MJD42CT4G ONSEMI ONSM-S-A0013307625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
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10+1.25 EUR
100+0.82 EUR
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1000+0.6 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
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MJD42CT4G ONSM-S-A0013307625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD42CT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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AnzahlPrivatkunde
105+2.39 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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MJD42CT4G ONSM-S-A0013307625-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD42CT4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+2.39 EUR
166+1.4 EUR
254+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
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MJD42CT4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
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