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MJD44H11-1G (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 31169
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.62 EUR
525+0.5 EUR
1050+0.41 EUR
2100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.62 EUR
525+0.52 EUR
1050+0.43 EUR
2100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2550 Stücke:
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184+0.8 EUR
525+0.71 EUR
1050+0.58 EUR
2550+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 184 Stücke
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MJD44H11-1G MJD44H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.4 EUR
158+0.91 EUR
234+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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MJD44H11-1G MJD44H11-1G onsemi mjd44h11-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
auf Bestellung 10917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+0.77 EUR
75+0.68 EUR
525+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD44H11-1G MJD44H11-1G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 477 Stücke:
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10+1.78 EUR
75+0.77 EUR
150+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MJD44H11-1G ONN mjd44h11-d.pdf description
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MJD44H11-1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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MJD44H11-1G
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MJD44H11-1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
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MJD44H11-1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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