Produkte > ONSEMI > MJD44H11-1G
MJD44H11-1G

MJD44H11-1G onsemi

mjd44h11-d.pdf
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
auf Bestellung 11708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.78 EUR
10+0.77 EUR
75+0.68 EUR
525+0.64 EUR
1050+0.55 EUR
2100+0.52 EUR
4200+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJD44H11-1G onsemi

Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 85MHz, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.75 W.

Weitere Produktangebote MJD44H11-1G nach Preis ab 0.68 EUR bis 1.78 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Hersteller : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.78 EUR
75+0.77 EUR
150+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Hersteller : ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 20W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 85MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 8A
Produktpalette: -888
auf Bestellung 582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11-1G Hersteller : ONN mjd44h11-d.pdf
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11-1G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31169
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11-1G Hersteller : On Semiconductor mjd44h11-d.pdf TRANS NPN 80V 8A IPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11-1G MJD44H11-1G Hersteller : ONSEMI MJD44H11-1G.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH