MJD44H11G

MJD44H11G ON Semiconductor


mjd44h11-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Technische Details MJD44H11G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MJD44H11G MJD44H11G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD44H11G MJD44H11G Hersteller : ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
54+1.33 EUR
77+0.94 EUR
90+0.80 EUR
95+0.75 EUR
300+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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MJD44H11G MJD44H11G Hersteller : ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
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MJD44H11G MJD44H11G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD44H11G MJD44H11G Hersteller : onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
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525+0.71 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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MJD44H11G MJD44H11G Hersteller : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 10682 Stücke:
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Anzahl Preis
7+2.66 EUR
75+1.18 EUR
150+1.06 EUR
525+0.88 EUR
1050+0.81 EUR
2025+0.75 EUR
5025+0.68 EUR
10050+0.65 EUR
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MJD44H11G MJD44H11G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD44H11G MJD44H11G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013307335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MJD44H11G Hersteller : ONS mjd44h11-d.pdf Транз. Бипол. NPN DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA
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MJD44H11G Hersteller : ON-Semicoductor mjd44h11-d.pdf NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
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Anzahl Preis
25+2.19 EUR
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MJD44H11G Hersteller : On Semiconductor mjd44h11-d.pdf NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11)
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Produktcode: 118488
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