MJD44H11G
Produktcode: 118488
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Technische Details MJD44H11G
- TRANSISTOR, NPN, D-PAK
- Transistor Type:Bipolar
- Transistor Polarity:NPN
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
- Max Current Ic Continuous a:8A
- Max Voltage Vce Sat:1V
- Power Dissipation:1.75W
- Min Hfe:40
- Typ Gain Bandwidth ft:50MHz
- Case Style:D-PAK
- Termination Type:SMD
- Application Code:PGP
- Current Ic hFE:4A
- External Depth:10.28mm
- External Length / Height:2.38mm
- External Width:6.73mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic:8A
- Max Power Dissipation Ptot:20W
- No. of Transistors:1
- SMD Marking:MJD44H11
- Voltage Vcbo:10V dc
Weitere Produktangebote MJD44H11G nach Preis ab 0.4 EUR bis 4.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MJD44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 7605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 7575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 85MHz |
auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN |
auf Bestellung 3590 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD44H11G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
auf Bestellung 5630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD44H11G | Hersteller : On Semiconductor |
NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Транзистори |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD44H11G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6109 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD44H11G | Hersteller : ON-Semiconductor |
NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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