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MJD44H11G

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Produktcode: 118488
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Technische Details MJD44H11G

  • TRANSISTOR, NPN, D-PAK
  • Transistor Type:Bipolar
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
  • Max Current Ic Continuous a:8A
  • Max Voltage Vce Sat:1V
  • Power Dissipation:1.75W
  • Min Hfe:40
  • Typ Gain Bandwidth ft:50MHz
  • Case Style:D-PAK
  • Termination Type:SMD
  • Application Code:PGP
  • Current Ic hFE:4A
  • External Depth:10.28mm
  • External Length / Height:2.38mm
  • External Width:6.73mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:8A
  • Max Power Dissipation Ptot:20W
  • No. of Transistors:1
  • SMD Marking:MJD44H11
  • Voltage Vcbo:10V dc

Weitere Produktangebote MJD44H11G nach Preis ab 0.48 EUR bis 4.78 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 7575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
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MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 7605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.73 EUR
241+0.7 EUR
525+0.61 EUR
1050+0.57 EUR
2025+0.52 EUR
5025+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+0.95 EUR
525+0.79 EUR
1050+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
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MJD44H11G MJD44H11G ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.74 EUR
99+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 4720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.43 EUR
192+0.89 EUR
194+0.87 EUR
525+0.71 EUR
1050+0.69 EUR
2025+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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MJD44H11G MJD44H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 4720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.44 EUR
191+0.88 EUR
194+0.83 EUR
525+0.68 EUR
1050+0.64 EUR
2025+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11G MJD44H11G onsemi mjd44h11-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
auf Bestellung 3183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.13 EUR
75+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD44H11G MJD44H11G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
75+1.15 EUR
150+1.02 EUR
525+0.86 EUR
1050+0.77 EUR
2025+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MJD44H11G MJD44H11G ONSEMI ONSM-S-A0013307335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
154+1.51 EUR
188+1.14 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11G MJD44H11G On Semiconductor MJD44H11-D.pdf description NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Транзистори
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD44H11G ON-Semiconductor mjd44h11-d.pdf description NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 7575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
304+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
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MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 7605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
239+0.73 EUR
241+0.7 EUR
525+0.61 EUR
1050+0.57 EUR
2025+0.52 EUR
5025+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
182+0.95 EUR
525+0.79 EUR
1050+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
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MJD44H11G description MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD44H11G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.74 EUR
99+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 4720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+2.43 EUR
192+0.89 EUR
194+0.87 EUR
525+0.71 EUR
1050+0.69 EUR
2025+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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MJD44H11G description mjd44h11d.pdf
MJD44H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 4720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+2.44 EUR
191+0.88 EUR
194+0.83 EUR
525+0.68 EUR
1050+0.64 EUR
2025+0.57 EUR
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MJD44H11G description mjd44h11-d.pdf
MJD44H11G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
auf Bestellung 3183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.57 EUR
10+1.13 EUR
75+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD44H11G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.62 EUR
75+1.15 EUR
150+1.02 EUR
525+0.86 EUR
1050+0.77 EUR
2025+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11G description ONSM-S-A0013307335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD44H11G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+3.52 EUR
154+1.51 EUR
188+1.14 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11G description MJD44H11-D.pdf
MJD44H11G
Hersteller: On Semiconductor
NPN, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 50МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD45H11) Транзистори
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11G description mjd44h11-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH