Produkte > NEXPERIA > MJD44H11J
MJD44H11J

MJD44H11J Nexperia

mjd44h11.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2287+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2287
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJD44H11J Nexperia

Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote MJD44H11J nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.30 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MJD44H11J MJD44H11J Hersteller : Nexperia USA Inc. MJD44H11.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.32 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11J MJD44H11J Hersteller : Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
452+0.33 EUR
521+0.28 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 452
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11J MJD44H11J Hersteller : Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
452+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 452
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11J MJD44H11J Hersteller : Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11J MJD44H11J Hersteller : Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
205+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 205
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11J MJD44H11J Hersteller : Nexperia MJD44H11.pdf Bipolar Transistors - BJT MJD44H11/SOT428/DPAK
auf Bestellung 10135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.22 EUR
10+0.79 EUR
100+0.50 EUR
500+0.40 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.30 EUR
5000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11J MJD44H11J Hersteller : Nexperia USA Inc. MJD44H11.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 11987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.30 EUR
22+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.40 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11J MJD44H11J Hersteller : NEXPERIA mjd44h11.pdf 80 V, 8 A NPN high power bipolar transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11J MJD44H11J Hersteller : Nexperia mjd44h11.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11J MJD44H11J Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0008944835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11J MJD44H11J Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0008944835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - MJD44H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11J Hersteller : NEXPERIA MJD44H11.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 40...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11J Hersteller : NEXPERIA MJD44H11.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 40...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH