MJD44H11T4

MJD44H11T4 STMicroelectronics


MJD44H11_MJD45H11.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1245 Stücke:

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Anzahl Preis ohne MwSt
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Technische Details MJD44H11T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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MJD44H11T4 MJD44H11T4 Hersteller : STMicroelectronics MJD44H11_MJD45H11.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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139+ 0.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 129
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 2416 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
14+1.9 EUR
16+ 1.64 EUR
100+ 1.13 EUR
500+ 0.95 EUR
1000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 14
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Hersteller : STMicroelectronics mjd44h11t4-2956141.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 22803 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+1.91 EUR
32+ 1.65 EUR
100+ 1.14 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.85 EUR
2500+ 0.74 EUR
5000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 28
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS32416-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 8486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS32416-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MJD44H11T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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MJD44H11T4 MJD44H11T4 Hersteller : STMicroelectronics cd0000131.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJD44H11T4 MJD44H11T4 Hersteller : STMicroelectronics 5470.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD44H11T4 Hersteller : STMicroelectronics cd0000131.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD44H11T4 MJD44H11T4 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00001311.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
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