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MJD44H11T4G

MJD44H11T4G onsemi

mjd44h11-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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Technische Details MJD44H11T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
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178+1 EUR
243+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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120+1.5 EUR
190+0.9 EUR
252+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1947 Stücke:
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120+1.5 EUR
190+0.93 EUR
252+0.68 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
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103+1.73 EUR
178+0.96 EUR
243+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3247 Stücke:
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100+1.78 EUR
101+1.75 EUR
250+1.7 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.63 EUR
3000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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100+1.65 EUR
101+1.58 EUR
250+1.51 EUR
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6078 Stücke:
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85+2.98 EUR
135+1.73 EUR
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6078 Stücke:
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135+1.73 EUR
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
Current gain: 60
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD44H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
178+1 EUR
243+0.73 EUR
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2500+0.4 EUR
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MJD44H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 33800 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
200+1.02 EUR
500+0.61 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.52 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+1.5 EUR
190+0.9 EUR
252+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+1.5 EUR
190+0.93 EUR
252+0.68 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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MJD44H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+1.73 EUR
178+0.96 EUR
243+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.37 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3247 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+1.78 EUR
101+1.75 EUR
250+1.7 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.63 EUR
3000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 3247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
99+1.8 EUR
100+1.65 EUR
101+1.58 EUR
250+1.51 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.38 EUR
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
auf Bestellung 41518 Stücke:
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2+2.07 EUR
10+1.3 EUR
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2500+0.52 EUR
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MJD44H11T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.12 EUR
16+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MJD44H11T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.98 EUR
135+1.73 EUR
206+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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MJD44H11T4G MJD44H11-D.PDF
MJD44H11T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.98 EUR
135+1.73 EUR
206+1.05 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MJD44H11T4G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
Current gain: 60
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD44H11T4G mjd44h11d.pdf
MJD44H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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