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MJD44H11T4G

MJD44H11T4G ON Semiconductor

mjd44h11d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD44H11T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 60000 Stücke:
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2500+0.41 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3847 Stücke:
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263+0.55 EUR
317+0.45 EUR
320+0.44 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 263
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3847 Stücke:
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216+0.67 EUR
253+0.55 EUR
263+0.51 EUR
317+0.41 EUR
320+0.39 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 216
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 36900 Stücke:
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156+0.93 EUR
500+0.64 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.53 EUR
7500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 156
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+1.13 EUR
81+0.88 EUR
103+0.7 EUR
138+0.52 EUR
189+0.38 EUR
196+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1995 Stücke:
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119+1.22 EUR
184+0.78 EUR
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1000+0.41 EUR
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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101+1.44 EUR
169+0.83 EUR
238+0.56 EUR
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1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 101
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 60640 Stücke:
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11+1.72 EUR
17+1.08 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
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10+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2159 Stücke:
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MJD44H11T4G MJD44H11T4G ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2159 Stücke:
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MJD44H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD44H11T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 60000 Stücke:
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MJD44H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3847 Stücke:
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Anzahl Preis
263+0.55 EUR
317+0.45 EUR
320+0.44 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 263
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MJD44H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3847 Stücke:
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253+0.55 EUR
263+0.51 EUR
317+0.41 EUR
320+0.39 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.28 EUR
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MJD44H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 36900 Stücke:
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Anzahl Preis
156+0.93 EUR
500+0.64 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.53 EUR
7500+0.5 EUR
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MJD44H11T4G MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD44H11T4G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
81+0.88 EUR
103+0.7 EUR
138+0.52 EUR
189+0.38 EUR
196+0.37 EUR
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MJD44H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
119+1.22 EUR
184+0.78 EUR
250+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.41 EUR
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MJD44H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
101+1.44 EUR
169+0.83 EUR
238+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 101
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MJD44H11T4G mjd44h11-d.pdf
MJD44H11T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 60640 Stücke:
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11+1.72 EUR
17+1.08 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
auf Bestellung 26237 Stücke:
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Anzahl Preis
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10+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD44H11T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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MJD44H11T4G MJD44H11-D.PDF
MJD44H11T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH