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MJD44H11T4G ON Semiconductor

Name: MJD44H11T4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 105927-5
Price: 825.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Technische Details MJD44H11T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 85MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote MJD44H11T4G nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.72 EUR

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MJD44H11T4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD44H11T4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD44H11T4G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W

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MJD44H11T4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MJD44H11T4G

Hersteller : ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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64+	1.13 EUR
93+	0.77 EUR
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152+	0.47 EUR
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MJD44H11T4G

Hersteller : ONSEMI

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64+	1.13 EUR
93+	0.77 EUR
108+	0.66 EUR
132+	0.54 EUR
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MJD44H11T4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Anzahl	Preis
111+	1.32 EUR
179+	0.79 EUR
211+	0.64 EUR
240+	0.54 EUR
250+	0.52 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.28 EUR

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MJD44H11T4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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129+	1.32 EUR
303+	0.47 EUR
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MJD44H11T4G

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN

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2+	1.54 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.44 EUR
2500+	0.38 EUR

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MJD44H11T4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR

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MJD44H11T4G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W

auf Bestellung 17527 Stücke:

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Anzahl	Preis
11+	1.72 EUR
17+	1.07 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.49 EUR

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MJD44H11T4G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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MJD44H11T4G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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MJD44H11T4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

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MJD44H11T4G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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