MJD45H11-1G
Produktcode: 99387
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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Technische Details MJD45H11-1G
- Transistor
- Transistor Polarity:PNP
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V
- Transition Frequency Typ, ft:90MHz
- Power Dissipation, Pd:20W
- DC Collector Current:-8A
- DC Current Gain Max (hfe):60
Weitere Produktangebote MJD45H11-1G nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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MJD45H11-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11-1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 90MHz |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11-1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD45H11-1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
auf Bestellung 7883 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD45H11-1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD45H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-251 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD45H11-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: ш Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
verfügbar 10 Stücke: |
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MJD45H11-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD45H11-1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |