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MJD45H11-1G

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Produktcode: 99387
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Technische Details MJD45H11-1G

  • Transistor
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V
  • Transition Frequency Typ, ft:90MHz
  • Power Dissipation, Pd:20W
  • DC Collector Current:-8A
  • DC Current Gain Max (hfe):60

Weitere Produktangebote MJD45H11-1G nach Preis ab 0.8 EUR bis 3.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD45H11-1G MJD45H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1950+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1950 Stücke
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MJD45H11-1G MJD45H11-1G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1950+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1950 Stücke
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MJD45H11-1G MJD45H11-1G ONSEMI MJD45H11-001G.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.26 EUR
81+1.06 EUR
90+0.95 EUR
97+0.88 EUR
150+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
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MJD45H11-1G MJD45H11-1G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS PNP 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.95 EUR
75+1.31 EUR
150+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MJD45H11-1G MJD45H11-1G onsemi mjd44h11-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
auf Bestellung 2236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+1.64 EUR
75+1.24 EUR
525+1.04 EUR
1050+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD45H11-1G MJD45H11-1G ONSEMI ONSM-S-A0013307335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MJD45H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-251
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
128+1.82 EUR
168+1.29 EUR
500+1.18 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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MJD45H11-1G ON Semiconductor MJD44H11-D.pdf description Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
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MJD45H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11-1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2025 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1950+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1950 Stücke
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MJD45H11-1G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11-1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1950+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1950 Stücke
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MJD45H11-1G description MJD45H11-001G.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD45H11-1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
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68+1.26 EUR
81+1.06 EUR
90+0.95 EUR
97+0.88 EUR
150+0.83 EUR
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MJD45H11-1G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11-1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
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10+1.64 EUR
75+1.24 EUR
525+1.04 EUR
1050+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD45H11-1G description ONSM-S-A0013307335-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD45H11-1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD45H11-1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-251
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2326 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
69+3.65 EUR
128+1.82 EUR
168+1.29 EUR
500+1.18 EUR
1000+1 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 A, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH