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MJD45H11G

mjd44h11-d.pdf
Produktcode: 154281
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Technische Details MJD45H11G

  • TRANSISTOR, PNP, D-PAK
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
  • Typ Gain Bandwidth ft:40MHz
  • Case Style:D-PAK
  • Current Ic hFE:4A
  • External Depth:10.28mm
  • External Length / Height:2.38mm
  • External Width:6.73mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:8A
  • Max Current Ic Continuous a:8A
  • Max Power Dissipation Ptot:20W
  • Max Voltage Vce Sat:-1V
  • Min Hfe:40
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:1.75W
  • SMD Marking:MJD45H11
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:Bipolar
  • Voltage Vcbo:10V dc

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD45H11G MJD45H11G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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245+0.59 EUR
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MJD45H11G MJD45H11G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
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MJD45H11G MJD45H11G Hersteller : ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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61+1.17 EUR
81+0.89 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 51
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MJD45H11G MJD45H11G Hersteller : onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
auf Bestellung 9360 Stücke:
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2+2.2 EUR
10+1.27 EUR
75+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD45H11G MJD45H11G Hersteller : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.27 EUR
75+1 EUR
150+0.9 EUR
525+0.75 EUR
1050+0.68 EUR
2025+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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MJD45H11G Hersteller : ON-Semiconductor mjd44h11-d.pdf Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
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MJD45H11G Hersteller : ON-Semiconductor mjd44h11-d.pdf Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
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MJD45H11G Hersteller : ONSEMI MJD44H11-D.PDF Description: ONSEMI - MJD45H11G - TRANSISTOR, PNP, D-PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD45H11G MJD45H11G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD45H11G Hersteller : On Semiconductor MJD44H11-D.pdf PNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD44H11) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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MJD45H11G Hersteller : ON Semiconductor MJD44H11-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 А, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
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Hersteller: Schrack
Relais
Relaistyp: Мініатюрне
Beschreibung: Тип контактів: 1C; Uкотушки: 24VDC; Iкомутації: 8A; R котушки 2350 Ohm
Abmessungen: 28,5x10,1x12,3 mm
Spulenspannung: 24 VDC
Strom max: 8 A
Kontaktkonfiguration: SPDT(1C)
Schaltspannung: 250 VAC; 30 VDC
auf Bestellung 92 St.:
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100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Produktcode: 60735
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100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 134159 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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G2RL-2 24VDC
Produktcode: 59217
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G2RL-2 24VDC
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Hersteller: Omron
Relais
Relaistyp: Relais
Beschreibung: Kontaktart: 2C; U Spule:24V; Ikomm.8A; UBelast.: 30V
Abmessungen: 29x12.7x15.7mm
Spulenspannung: 24 VDC
Strom max: 8 A
Kontaktkonfiguration: DPDT(2C)
Schaltspannung: 250 VAC; 24 VDC
auf Bestellung 596 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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3,6 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R6-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 51192
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3,6 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-3R6-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 3,6 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512
auf Bestellung 3628 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.024 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RT314524
Produktcode: 46244
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RT314and424-205089.pdf
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Hersteller: Tyco Electronics
Relais
Relaistyp: Relais
Beschreibung: Kontaktart: 1C; U-Spule: 24V; I-komm: 16А
Abmessungen: 29х15,7х12,7mm
Spulenspannung: 24 VAC
Strom max: 16 A
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+3.12 EUR
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