MJD45H11G ON Semiconductor
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Technische Details MJD45H11G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 90MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.75 W.
Weitere Produktangebote MJD45H11G nach Preis ab 0.58 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJD45H11G | Hersteller : ONSEMI |
 Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 90MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 333 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD45H11G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 90MHz |
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MJD45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 1623 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
auf Bestellung 25832 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MJD45H11G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
auf Bestellung 1930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MJD45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 1623 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 8A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3427 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 А, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; D-PAK |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD45H11G | Hersteller : ONS |
Транз. Бипол. PNP DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD45H11G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD45H11G Produktcode: 154281 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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MJD45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |