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MJD45H11G

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Produktcode: 154281
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Technische Details MJD45H11G

  • TRANSISTOR, PNP, D-PAK
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
  • Typ Gain Bandwidth ft:40MHz
  • Case Style:D-PAK
  • Current Ic hFE:4A
  • External Depth:10.28mm
  • External Length / Height:2.38mm
  • External Width:6.73mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:8A
  • Max Current Ic Continuous a:8A
  • Max Power Dissipation Ptot:20W
  • Max Voltage Vce Sat:-1V
  • Min Hfe:40
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:1.75W
  • SMD Marking:MJD45H11
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:Bipolar
  • Voltage Vcbo:10V dc

Weitere Produktangebote MJD45H11G nach Preis ab 0.58 EUR bis 2.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MJD45H11G MJD45H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.6 EUR
300+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
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MJD45H11G MJD45H11G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
677+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 677 Stücke
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MJD45H11G MJD45H11G ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 90MHz
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+1.54 EUR
94+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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MJD45H11G MJD45H11G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.27 EUR
75+1 EUR
150+0.9 EUR
525+0.75 EUR
1050+0.68 EUR
2025+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MJD45H11G MJD45H11G onsemi mjd44h11-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
auf Bestellung 7909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.02 EUR
75+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD45H11G MJD45H11G ONSEMI mjd44h11-d.pdf description Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD45H11G ON-Semiconductor mjd44h11-d.pdf description Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MJD45H11G ON-Semiconductor mjd44h11-d.pdf description Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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MJD45H11G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
245+0.6 EUR
300+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
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MJD45H11G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
677+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 677 Stücke
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MJD45H11G description MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD45H11G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Current gain: 60
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 90MHz
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
auf Bestellung 1012 Stücke:
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47+1.54 EUR
94+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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MJD45H11G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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1050+0.68 EUR
2025+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MJD45H11G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
auf Bestellung 7909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.32 EUR
10+1.02 EUR
75+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G description mjd44h11-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
25+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G description mjd44h11-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
25+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH