MJD45H11G


mjd44h11-d.pdf
Produktcode: 154281
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJD45H11G

  • TRANSISTOR, PNP, D-PAK
  • Transistor Polarity:PNP
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
  • Typ Gain Bandwidth ft:40MHz
  • Case Style:D-PAK
  • Current Ic hFE:4A
  • External Depth:10.28mm
  • External Length / Height:2.38mm
  • External Width:6.73mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:8A
  • Max Current Ic Continuous a:8A
  • Max Power Dissipation Ptot:20W
  • Max Voltage Vce Sat:-1V
  • Min Hfe:40
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:1.75W
  • SMD Marking:MJD45H11
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:Bipolar
  • Voltage Vcbo:10V dc

Weitere Produktangebote MJD45H11G nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MJD45H11G MJD45H11G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
245+0.59 EUR
300+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 245
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G MJD45H11G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
677+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 677
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G MJD45H11G Hersteller : ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
61+1.17 EUR
81+0.89 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G MJD45H11G Hersteller : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.27 EUR
75+1 EUR
150+0.9 EUR
525+0.75 EUR
1050+0.68 EUR
2025+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G MJD45H11G Hersteller : onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
auf Bestellung 7946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.32 EUR
10+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G MJD45H11G Hersteller : ONSEMI mjd44h11-d.pdf Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G Hersteller : ON-Semiconductor mjd44h11-d.pdf Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G Hersteller : ON-Semiconductor mjd44h11-d.pdf Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G MJD45H11G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G Hersteller : On Semiconductor MJD44H11-D.pdf PNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD44H11) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G Hersteller : ON Semiconductor MJD44H11-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 А, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH