MJD45H11G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 194+ | 0.76 EUR |
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| 1050+ | 0.51 EUR |
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Technische Details MJD45H11G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MJD45H11G nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MJD45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 1050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 1875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
auf Bestellung 1575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 90MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 584 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD45H11G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 90MHz |
auf Bestellung 584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
auf Bestellung 9828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD45H11G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
auf Bestellung 2831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD45H11G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD45H11G | Hersteller : ONS |
Транз. Бипол. PNP DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD45H11G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MJD45H11G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MJD45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 А, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; D-PAK |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11G Produktcode: 154281
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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MJD45H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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