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Technische Details MJD45H11J Nexperia
Description: NEXPERIA - MJD45H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJD, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 80MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJD45H11J nach Preis ab 0.71 EUR bis 1.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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MJD45H11J | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PNP 80V 8A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
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MJD45H11J | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD45H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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MJD45H11J | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - MJD45H11J - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJD Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| MJD45H11J | Hersteller : NXP |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 80MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD45H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD45H11J Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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MJD45H11J | Hersteller : NEXPERIA |
80 V, 8 A PNP high power bipolar transistor |
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MJD45H11J | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD45H11J | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD45H11J | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| MJD45H11J | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 1.75W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Collector current: 8A Pulsed collector current: 16A Kind of package: reel; tape Current gain: 60 Type of transistor: PNP Case: DPAK; TO252 Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Power dissipation: 1.75W Frequency: 80MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJD45H11J | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
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| MJD45H11J | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 1.75W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Collector current: 8A Pulsed collector current: 16A Kind of package: reel; tape Current gain: 60 Type of transistor: PNP Case: DPAK; TO252 Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Power dissipation: 1.75W Frequency: 80MHz |
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