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MJD45H11T4G

MJD45H11T4G ON Semiconductor

mjd44h11-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD45H11T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 15000 Stücke:
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2500+0.46 EUR
5000+0.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689A1CE419A0745&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=1538b0c2c201261ed34e1be0c33f8833819e943e pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
108+0.66 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
10000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 77
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689A1CE419A0745&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=1538b0c2c201261ed34e1be0c33f8833819e943e pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDACA4539D519BE0D3&compId=MJD44H11_MJD45H11.PDF?ci_sign=a0691604677412c63c152e23f5547e6bf1fb8928 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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150+0.93 EUR
213+0.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 99
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G
Produktcode: 118487
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : onsemi MJD44H11_D-1811546.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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10+1.78 EUR
16+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : ONSEMI 2028691.pdf Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1139 Stücke:
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : ONSEMI 2028691.pdf Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1139 Stücke:
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