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MJD45H11T4G

MJD45H11T4G ON Semiconductor

mjd44h11d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD45H11T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd44h11d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 330 Stücke:
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Anzahl Preis
63+1.14 EUR
91+0.79 EUR
124+0.58 EUR
142+0.5 EUR
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : onsemi mjd44h11-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
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Anzahl Preis
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10+1.09 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : ONSEMI 2028691.pdf Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1931 Stücke:
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : ONSEMI 2028691.pdf Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1931 Stücke:
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MJD45H11T4G Hersteller : ON-Semiconductor mjd44h11-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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MJD45H11T4G Hersteller : On Semiconductor mjd44h11-d.pdf PNP, Uкэ=80V, Iк=8A (16 имп.), h21=40...60, 40МГц, 20Вт, DPAK (TO-252) (SMD) (компл. MJD44H11)
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Produktcode: 118487
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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MJD45H11T4G MJD45H11T4G Hersteller : onsemi mjd44h11-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
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