
MJD45H11T4G ON Semiconductor
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Technische Details MJD45H11T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MJD45H11T4G nach Preis ab 0.40 EUR bis 1.87 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJD45H11T4G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 90MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1754 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 90MHz |
auf Bestellung 1754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJD45H11T4G Produktcode: 118487
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MJD45H11T4G | Hersteller : onsemi |
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MJD45H11T4G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
auf Bestellung 19498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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