MJD45H11T4G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 44+ | 1.63 EUR |
| 97+ | 0.74 EUR |
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Technische Details MJD45H11T4G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MJD45H11T4G nach Preis ab 0.67 EUR bis 1.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJD45H11T4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 90MHz |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11T4G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
auf Bestellung 4030 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJD45H11T4G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MJD45H11T4G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJD45H11T4G Produktcode: 118487 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD45H11T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD45H11T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
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MJD45H11T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
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