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MJD45H11T4G

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Produktcode: 118487
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Technische Details MJD45H11T4G

  • Transistor
  • Transistor Type:Bipolar
  • Tra

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.45 EUR
7500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.46 EUR
7500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ON Semiconductor mjd44h11d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
311+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G MJD45H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 97500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.61 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.5 EUR
88+0.98 EUR
103+0.83 EUR
126+0.68 EUR
145+0.58 EUR
200+0.52 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G MJD45H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
auf Bestellung 19980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G MJD45H11T4G onsemi mjd44h11-d.pdf description Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 98852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ONSEMI 2028691.pdf description Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.5 EUR
151+1.55 EUR
207+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G MJD45H11T4G ONSEMI 2028691.pdf description Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.5 EUR
151+1.55 EUR
207+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G ON-Semiconductor mjd44h11-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.5 EUR
5000+0.45 EUR
7500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.5 EUR
5000+0.46 EUR
7500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G description mjd44h11d.pdf
MJD45H11T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
311+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 97500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.61 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G description MJD44H11_MJD45H11.PDF MJD44H11_MJD45H11.PDF
MJD45H11T4G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+1.5 EUR
88+0.98 EUR
103+0.83 EUR
126+0.68 EUR
145+0.58 EUR
200+0.52 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11T4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
auf Bestellung 19980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.2 EUR
10+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G description mjd44h11-d.pdf
MJD45H11T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 98852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G description 2028691.pdf
MJD45H11T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.5 EUR
151+1.55 EUR
207+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G description 2028691.pdf
MJD45H11T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.5 EUR
151+1.55 EUR
207+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11T4G description mjd44h11-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH