MJD47T4 STMicroelectronics
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Technische Details MJD47T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD47T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Weitere Produktangebote MJD47T4 nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJD47T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 250V 1A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD47T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw |
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MJD47T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD47T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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MJD47T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD47T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
auf Bestellung 16805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD47T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 250V 1A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD47T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 250V 1A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD47T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 250V 1A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD47T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 15 W |
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MJD47T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 15 W |
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MJD47T4 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PWR NPN 1A 250V DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 15 W |
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