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MJD47T4G

MJD47T4G ON Semiconductor

mjd47-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Technische Details MJD47T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote MJD47T4G nach Preis ab 0.32 EUR bis 2.14 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD47T4G MJD47T4G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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MJD47T4G MJD47T4G onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD47T4G MJD47T4G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4501 Stücke:
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178+0.99 EUR
245+0.71 EUR
250+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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MJD47T4G MJD47T4G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4501 Stücke:
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149+1.19 EUR
171+0.99 EUR
178+0.92 EUR
245+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
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MJD47T4G MJD47T4G onsemi MJD47_D-1625799.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN
auf Bestellung 3682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.23 EUR
100+0.83 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD47T4G MJD47T4G ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.05 EUR
171+1.36 EUR
251+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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MJD47T4G MJD47T4G ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1084 Stücke:
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122+2.05 EUR
171+1.36 EUR
251+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
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MJD47T4G MJD47T4G onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 9611 Stücke:
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10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MJD47T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD47T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
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MJD47T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
178+0.99 EUR
245+0.71 EUR
250+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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MJD47T4G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
149+1.19 EUR
171+0.99 EUR
178+0.92 EUR
245+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.48 EUR
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3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
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MJD47T4G MJD47_D-1625799.pdf
MJD47T4G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN
auf Bestellung 3682 Stücke:
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10+1.23 EUR
100+0.83 EUR
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MJD47T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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122+2.05 EUR
171+1.36 EUR
251+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
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MJD47T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD47T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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122+2.05 EUR
171+1.36 EUR
251+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MJD47T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
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AnzahlPrivatkunde
10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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