MJD50G ON Semiconductor
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Technische Details MJD50G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MJD50G nach Preis ab 0.77 EUR bis 2.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJD50G | Hersteller : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN |
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MJD50G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.56 W |
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MJD50G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD50G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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MJD50G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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