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MJD50G

MJD50G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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Technische Details MJD50G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD50G MJD50G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD50G MJD50G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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MJD50G MJD50G onsemi MJD47_D-2315744.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
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MJD50G MJD50G onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
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8+2.7 EUR
75+1.19 EUR
150+1.06 EUR
525+0.88 EUR
1050+0.8 EUR
2025+0.74 EUR
5025+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MJD50G MJD50G ONSEMI ONSM-S-A0013299393-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 161 Stücke:
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78+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD50G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
78+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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