MJD50RLG onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details MJD50RLG onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK, Power - Max: 1.56 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: DPAK, Frequency - Transition: 10MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 200µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MJD50RLG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 1A 400V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJD50RLG |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 1A 400V
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