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MJD50T4G

MJD50T4G ON Semiconductor

mjd47-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.36 EUR
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Technische Details MJD50T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MJD50T4G nach Preis ab 0.31 EUR bis 2.19 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD50T4G MJD50T4G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD50T4G MJD50T4G onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MJD50T4G MJD50T4G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+0.75 EUR
296+0.57 EUR
299+0.56 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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MJD50T4G MJD50T4G ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+0.76 EUR
229+0.73 EUR
231+0.69 EUR
296+0.52 EUR
299+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
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MJD50T4G MJD50T4G ONSEMI MJD50T4G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 1A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10MHz
Current gain: 30...150
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1 EUR
102+0.83 EUR
117+0.73 EUR
135+0.63 EUR
162+0.52 EUR
182+0.46 EUR
200+0.43 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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MJD50T4G MJD50T4G onsemi MJD47_D-2315744.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
auf Bestellung 8746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.38 EUR
10+1 EUR
100+0.71 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MJD50T4G MJD50T4G onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 11304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MJD50T4G MJD50T4G ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.19 EUR
185+1.25 EUR
265+0.81 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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MJD50T4G MJD50T4G ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MJD50T4G
Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 5000 Stücke:
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MJD50T4G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
231+0.75 EUR
296+0.57 EUR
299+0.56 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4999 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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229+0.73 EUR
231+0.69 EUR
296+0.52 EUR
299+0.49 EUR
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1000+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 1A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10MHz
Current gain: 30...150
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+1 EUR
102+0.83 EUR
117+0.73 EUR
135+0.63 EUR
162+0.52 EUR
182+0.46 EUR
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500+0.42 EUR
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
auf Bestellung 8746 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1 EUR
100+0.71 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.48 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 11304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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11+2.03 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
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MJD50T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+2.19 EUR
185+1.25 EUR
265+0.81 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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MJD50T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+2.19 EUR
185+1.25 EUR
265+0.81 EUR
500+0.67 EUR
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