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MJD50T4G

MJD50T4G ON Semiconductor

mjd47-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details MJD50T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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MJD50T4G MJD50T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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MJD50T4G MJD50T4G Hersteller : onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 22500 Stücke:
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Anzahl Preis
2500+0.45 EUR
5000+0.41 EUR
7500+0.39 EUR
12500+0.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500
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MJD50T4G MJD50T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4999 Stücke:
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Anzahl Preis
231+0.64 EUR
296+0.48 EUR
299+0.46 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.30 EUR
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 231
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MJD50T4G MJD50T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd47-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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226+0.66 EUR
229+0.62 EUR
231+0.60 EUR
296+0.45 EUR
299+0.42 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 226
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MJD50T4G MJD50T4G Hersteller : onsemi MJD47_D-2315744.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 400V 15W NPN
auf Bestellung 8746 Stücke:
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Anzahl Preis
3+1.16 EUR
10+0.84 EUR
100+0.60 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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MJD50T4G MJD50T4G Hersteller : onsemi mjd47-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 24842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.76 EUR
16+1.10 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MJD50T4G MJD50T4G Hersteller : ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 27195 Stücke:
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MJD50T4G MJD50T4G Hersteller : ONSEMI 1918750.pdf Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MJD50T4G MJD50T4G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299393-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MJD50T4G Hersteller : ONSEMI mjd47-d.pdf MJD50T4G NPN SMD transistors
auf Bestellung 1657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
187+0.38 EUR
198+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 122
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MJD50T4G Hersteller : Welwyn Components / TT Electronics mjd47-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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