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Technische Details MJD50T4G onsemi
Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MJD50T4G nach Preis ab 0.96 EUR bis 1.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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MJD50T4G | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS NPN 400V 1A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.56 W |
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MJD50T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1851 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD50T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD50T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 33295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJD50T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD50T4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 1A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...150 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJD50T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.56 W |
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MJD50T4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 1A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...150 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10MHz |
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