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MJD5731T4G

MJD5731T4G onsemi

mjd5731-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details MJD5731T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD5731T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD5731T4G MJD5731T4G onsemi mjd5731-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 15W PNP
auf Bestellung 11803 Stücke:
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2+2.09 EUR
10+1.17 EUR
100+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJD5731T4G MJD5731T4G onsemi mjd5731-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: DPAK
auf Bestellung 9170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MJD5731T4G MJD5731T4G ONSEMI ONSM-S-A0013776860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD5731T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
162+1.44 EUR
274+0.79 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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MJD5731T4G MJD5731T4G ONSEMI ONSM-S-A0013776860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD5731T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
162+1.44 EUR
274+0.79 EUR
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1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 11803 Stücke:
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Description: TRANS PNP 350V 1A DPAK
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: DPAK
auf Bestellung 9170 Stücke:
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MJD5731T4G ONSM-S-A0013776860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD5731T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD5731T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2199 Stücke:
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99+2.55 EUR
162+1.44 EUR
274+0.79 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.6 EUR
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MJD5731T4G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD5731T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.55 EUR
162+1.44 EUR
274+0.79 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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