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MJD6039T4G

MJD6039T4G onsemi


mjd6039-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.54 EUR
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Technische Details MJD6039T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJD6039T4G MJD6039T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd6039-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
222+0.64 EUR
223+0.62 EUR
262+0.51 EUR
272+0.47 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 222
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MJD6039T4G MJD6039T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd6039-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
207+0.69 EUR
222+0.62 EUR
223+0.6 EUR
262+0.49 EUR
272+0.45 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 207
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MJD6039T4G MJD6039T4G Hersteller : onsemi mjd6039-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 10404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.74 EUR
16+1.17 EUR
100+0.81 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MJD6039T4G MJD6039T4G Hersteller : onsemi 5064E2784A83B1535014DD25423EF65BAA03BF5BF5DF8D62DEDD996100B01C00.pdf Darlington Transistors 2A 80V Bipolar Power NPN
auf Bestellung 16936 Stücke:
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Anzahl Preis
2+1.83 EUR
10+1.19 EUR
100+0.78 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJD6039T4G MJD6039T4G Hersteller : ONSEMI 1576018.pdf Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 16525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJD6039T4G MJD6039T4G Hersteller : ONSEMI 1576018.pdf Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 16525 Stücke:
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MJD6039T4G MJD6039T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd6039-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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