MJD6039T4G ON Semiconductor
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Technische Details MJD6039T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MJD6039T4G nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJD6039T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD6039T4G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 2A 80V Bipolar Power NPN |
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MJD6039T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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MJD6039T4G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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| MJD6039T4G |
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MJD6039T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD6039T4G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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MJD6039T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
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MJD6039T4G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
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