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MJE13007 JSMicro Semiconductor

mje13007-d.pdf Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 40; 80W; 400V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 JSMICRO TMJE13007 JSM
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Technische Details MJE13007 JSMicro Semiconductor

Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 14MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 80 W.

Weitere Produktangebote MJE13007 nach Preis ab 3.37 EUR bis 4.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJE13007 Hersteller : NTE Electronics, Inc. mje13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
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MJE13007 Hersteller : On Semiconductor mje13007-d.pdf NPN, Uкэ=400V, Iк=8A (16 имп.), h21=5...40, 4МГц (тип. 14МГц), 80Вт, TO-220AB
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MJE13007 MJE13007 Hersteller : onsemi mje13007-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
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MJE13007 MJE13007 Hersteller : onsemi MJE13007_D-1811556.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
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