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MJE15035G

MJE15035G ON Semiconductor

mje15034d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details MJE15035G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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MJE15035G MJE15035G Hersteller : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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MJE15035G MJE15035G Hersteller : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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MJE15035G MJE15035G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9D3C43AE9CE143&compId=MJE15035G.pdf?ci_sign=ec51d9acb16e0900b78fd023a8b0deb230dbb55e Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
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MJE15035G MJE15035G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9D3C43AE9CE143&compId=MJE15035G.pdf?ci_sign=ec51d9acb16e0900b78fd023a8b0deb230dbb55e Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
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MJE15035G MJE15035G Hersteller : onsemi MJE15034_D-1811460.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
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MJE15035G MJE15035G Hersteller : onsemi mje15034-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
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6+3.29 EUR
50+1.6 EUR
100+1.43 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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MJE15035G MJE15035G Hersteller : ON Semiconductor mje15034-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15035G MJE15035G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014594774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MJE15035G MJE15035G Hersteller : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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MJE15035G MJE15035G Hersteller : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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MJE15035G Hersteller : Diodes Incorporated mje15034-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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