Produkte > ON SEMICONDUCTOR > MJE15035G
MJE15035G

MJE15035G ON Semiconductor

mje15034d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
118+1.24 EUR
122+1.16 EUR
129+1.06 EUR
250+1.00 EUR
500+0.87 EUR
800+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJE15035G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote MJE15035G nach Preis ab 0.72 EUR bis 3.29 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MJE15035G MJE15035G Hersteller : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
116+1.27 EUR
117+1.21 EUR
121+1.13 EUR
127+1.03 EUR
250+0.97 EUR
500+0.84 EUR
800+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035G MJE15035G Hersteller : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+1.92 EUR
250+1.68 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035G MJE15035G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9D3C43AE9CE143&compId=MJE15035G.pdf?ci_sign=ec51d9acb16e0900b78fd023a8b0deb230dbb55e Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.10 EUR
38+1.92 EUR
43+1.67 EUR
50+1.46 EUR
53+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035G MJE15035G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AB9D3C43AE9CE143&compId=MJE15035G.pdf?ci_sign=ec51d9acb16e0900b78fd023a8b0deb230dbb55e Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.10 EUR
38+1.92 EUR
43+1.67 EUR
50+1.46 EUR
53+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035G MJE15035G Hersteller : onsemi MJE15034_D-1811460.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.89 EUR
10+2.60 EUR
50+1.59 EUR
100+1.47 EUR
250+1.44 EUR
500+1.20 EUR
800+1.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035G MJE15035G Hersteller : onsemi mje15034-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 4A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 1784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.29 EUR
50+1.60 EUR
100+1.43 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035G MJE15035G Hersteller : ON Semiconductor mje15034-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035G MJE15035G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014594774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035G MJE15035G Hersteller : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035G MJE15035G Hersteller : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE15035G MJE15035G Hersteller : ON Semiconductor mje15034d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH