MJE180G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 88+ | 1.66 EUR |
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| 500+ | 0.6 EUR |
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Technische Details MJE180G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJE180G nach Preis ab 0.49 EUR bis 2.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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MJE180G | Hersteller : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN |
auf Bestellung 669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE180G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE180G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE180G | Hersteller : Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE180G | Hersteller : Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE180G | Hersteller : On Semiconductor |
NPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3) |
auf Bestellung 3550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE180G Produktcode: 161612
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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MJE180G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |