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MJE180G

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Produktcode: 161612
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJE180G MJE180G ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.09 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
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MJE180G MJE180G On Semiconductor mje171-d.pdf NPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3) Транзистори
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MJE180G MJE180G onsemi mje171-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
auf Bestellung 565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.74 EUR
100+1.19 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJE180G MJE180G onsemi mje171-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
11+1.99 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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MJE180G MJE180G ONSEMI mje171-d.pdf Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1717 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+3.4 EUR
117+2 EUR
174+1.24 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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MJE180G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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AnzahlPrivatkunde
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500+0.99 EUR
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MJE180G
Hersteller: On Semiconductor
NPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3) Транзистори
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
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MJE180G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
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MJE180G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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174+1.24 EUR
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