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MJE181G

MJE181G onsemi

mje171-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
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Technische Details MJE181G onsemi

Description: TRANS NPN 60V 3A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.5 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJE181G MJE181G Hersteller : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE181G MJE181G Hersteller : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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1000+ 0.57 EUR
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MJE181G MJE181G Hersteller : onsemi MJE171_D-2315848.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
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6000+ 0.63 EUR
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MJE181G MJE181G Hersteller : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE181G MJE181G Hersteller : ON Semiconductor mje171-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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MJE181G MJE181G Hersteller : ONSEMI MJE172G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 15W; TO225
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 12...250
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MJE181G MJE181G Hersteller : ONSEMI MJE172G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 15W; TO225
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 60V
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 12...250
Frequency: 50MHz
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