MJE181G ON Semiconductor
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Technische Details MJE181G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.5 W.
Weitere Produktangebote MJE181G nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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MJE181G | onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN |
auf Bestellung 1116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE181G | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W |
auf Bestellung 518 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE181G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| MJE181G | Aptina Imaging |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJE181G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.12 EUR |
| 10+ | 1.33 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
| MJE181G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.12 EUR |
| 16+ | 1.33 EUR |
| 100+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.68 EUR |
| MJE181G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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| MJE181G |
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Hersteller: Aptina Imaging
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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