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MJE200G

MJE200G onsemi


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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
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Technische Details MJE200G onsemi

Description: TRANS NPN 40V 5A TO-126, Power - Max: 15 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-126, Frequency - Transition: 65MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJE200G MJE200G Hersteller : onsemi mje200-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 5A TO-126
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
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