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MJE3055T

MJE3055T JSMICRO

MJE3055T-ds.pdf
Produktcode: 190953
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
ZCODE: THT
auf Bestellung 103 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MJE3055T (Bipolartransistor NPN) MJE3055T (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 26410
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Hersteller : ST MJE3055T, MJE2955T.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 70
Ic,A: 10
h21: 100
ZCODE: THT
verfügbar: 13 Stück
Anzahl Preis
1+0.34 EUR
10+0.29 EUR
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
5000+0.53 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18058 Stücke:
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1000+0.63 EUR
2000+0.58 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18078 Stücke:
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227+0.64 EUR
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0F62945936469&compId=MJE3055T.pdf?ci_sign=acf5f4844b678edb3a8796960835d13164eb39e8 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
70+1.03 EUR
82+0.88 EUR
142+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD0F62945936469&compId=MJE3055T.pdf?ci_sign=acf5f4844b678edb3a8796960835d13164eb39e8 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
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70+1.03 EUR
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Mindestbestellmenge: 40
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
64+2.27 EUR
128+1.09 EUR
143+0.94 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.47 EUR
5000+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000929.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 3876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.5 EUR
50+1.19 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
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2+2.52 EUR
10+1.2 EUR
100+1.07 EUR
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5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS28953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4647 Stücke:
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : MULTICOMP PRO 2864206.pdf Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJE3055T Hersteller : JSMicro Semiconductor en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf Transistor NPN; 70; 75W; 60V; 10A; 2MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE3055TG; MJE3055TTU; MJE3055T JSMICRO TMJE3055t JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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MJE3055T Hersteller : ST en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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MJE3055T Hersteller : ST en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : onsemi mje2955t-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : onsemi MJE2955T-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
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MJE2955T
Produktcode: 57977
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mje2955t-datasheet.pdf
MJE2955T
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 2 MHz
U, V: 60
U, V: 70
I, А: 10
verfügbar: 31 Stück
23 Stück - stock Köln
8 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.34 EUR
10+0.29 EUR
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BD140
Produktcode: 15292
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BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1480 Stück
104 Stück - stock Köln
1376 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
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1,0uF 35V 10% F=5mm (TCR010K35BL2-Hitano)
Produktcode: 1774
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TCR_dipped_tantalum_090601.pdf
1,0uF 35V 10% F=5mm (TCR010K35BL2-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren THT
Kapazität: 1,0uF
Spannung: 35V
Präzision: ±10%
Abmessungen: Ausgabeabstand 5mm
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 Stück:
1000 Stück - erwartet 08.12.2025
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.12 EUR
100+0.074 EUR
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BAT41
Produktcode: 4263
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description bat41-vishay.pdf
BAT41
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-35
Vrrm(V): 100
If(A): 0,1
VF@IF: 0,4
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 0,75 A
verfügbar: 982 Stück
60 Stück - stock Köln
922 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.092 EUR
100+0.068 EUR
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2N7000
Produktcode: 20638
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2N7000-D.PDF
2N7000
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 1314 Stück
50 Stück - stock Köln
1264 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.25 EUR
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