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MJE3055T

MJE3055T JSMICRO

MJE3055T-ds.pdf
Produktcode: 190953
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
ZCODE: THT
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MJE3055T (Bipolartransistor NPN) MJE3055T (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 26410 		Hersteller : ST MJE3055T, MJE2955T.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 70
Ic,A: 10
h21: 100
ZCODE: THT
verfügbar: 15 Stück
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1+0.34 EUR
10+ 0.29 EUR
MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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155+1.01 EUR
190+ 0.8 EUR
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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134+1.17 EUR
155+ 0.97 EUR
190+ 0.77 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 134
MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics MJE3055T.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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60+1.2 EUR
100+ 0.72 EUR
118+ 0.61 EUR
130+ 0.55 EUR
132+ 0.54 EUR
137+ 0.52 EUR
250+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 60
MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics MJE3055T.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
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132+ 0.54 EUR
137+ 0.52 EUR
250+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 60
MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics mje2955t-1849887.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
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20+2.63 EUR
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2000+ 1.2 EUR
5000+ 1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20
MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS28953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5048 Stücke:
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : MULTICOMP PRO 2864206.pdf Description: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 2MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 10A
auf Bestellung 3224 Stücke:
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics 4168.pdf Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE3055T Hersteller : ST en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
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MJE3055T Hersteller : ST en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf NPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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30+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30
MJE3055T Hersteller : STM en.CD00000929.pdf mje2955t-d.pdf Биполярный транзистор - [TO-220-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; UКЭ(пад): 8 В; IК(макс): 10 А
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : STMicroelectronics en.CD00000929.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
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MJE3055T MJE3055T Hersteller : onsemi mje2955t-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
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MJE2955T
Produktcode: 57977		 mje2955t-datasheet.pdf
MJE2955T
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 2 MHz
U, V: 60
U, V: 70
I, А: 10
verfügbar: 82 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.34 EUR
10+ 0.29 EUR
BD140
Produktcode: 15292		 BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1983 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.14 EUR
10+ 0.12 EUR
1,0uF 35V 10% F=5mm (TCR010K35BL2-Hitano)
Produktcode: 1774		 TCR_dipped_tantalum_090601.pdf
1,0uF 35V 10% F=5mm (TCR010K35BL2-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Tantal-Kondensatoren THT
Kapazität: 1,0uF
Spannung: 35V
Präzision: ±10%
Abmessungen: Ausgabeabstand 5mm
verfügbar: 109 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.16 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.074 EUR
BAT41
Produktcode: 4263		 description bat41-vishay.pdf
BAT41
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-35
Vrrm(V): 100
If(A): 0,1
VF@IF: 0,4
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 0,75 A
verfügbar: 1779 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.1 EUR
10+ 0.092 EUR
100+ 0.068 EUR
2N7000
Produktcode: 20638		 2N7000-D.PDF
2N7000
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 50 Stück
erwartet: 2000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.25 EUR