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MJE350G

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Produktcode: 112488
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJE350G MJE350G ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 11045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+0.57 EUR
309+0.55 EUR
311+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
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MJE350G MJE350G ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 11045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
311+0.57 EUR
313+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
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MJE350G MJE350G ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MJE350G MJE350G ONSEMI MJE350G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.59 EUR
83+1.04 EUR
94+0.92 EUR
124+0.69 EUR
200+0.62 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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MJE350G MJE350G onsemi mje350-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
auf Bestellung 10110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJE350G MJE350G onsemi mje350-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.54 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MJE350G MJE350G ONSEMI mje350-d.pdf Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
144+1.62 EUR
201+1.07 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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MJE350G JSMicro Semiconductor mje350-d.pdf Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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MJE350G ON-Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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MJE350G ON Semiconductor MJE350.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
verfügbar 15 Stücke:
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MJE350G mje350-d.pdf
MJE350G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 11045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
306+0.57 EUR
309+0.55 EUR
311+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
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MJE350G mje350-d.pdf
MJE350G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 11045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
311+0.57 EUR
313+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
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MJE350G mje350-d.pdf
MJE350G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MJE350G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+1.59 EUR
83+1.04 EUR
94+0.92 EUR
124+0.69 EUR
200+0.62 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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MJE350G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
auf Bestellung 10110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.45 EUR
10+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJE350G mje350-d.pdf
MJE350G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.45 EUR
14+1.54 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MJE350G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.84 EUR
144+1.62 EUR
201+1.07 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350G mje350-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE350G MJE350.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
verfügbar 15 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH