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Produktcode: 112488
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJE350G MJE350G ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+0.77 EUR
236+0.75 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
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MJE350G MJE350G ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.86 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MJE350G MJE350G ON Semiconductor mje350-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.39 EUR
233+0.75 EUR
235+0.71 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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MJE350G MJE350G onsemi mje350-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
auf Bestellung 9153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MJE350G MJE350G onsemi mje350-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
auf Bestellung 6186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
13+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.73 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MJE350G MJE350G ONSEMI ONSM-S-A0011482882-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
119+1.95 EUR
180+1.19 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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MJE350G MJE350G ONSEMI MJE350G.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 30...240
auf Bestellung 541 Stücke:
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MJE350G ON Semiconductor MJE350.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
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10+1.55 EUR
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MJE350G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
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MJE350G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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76+3.32 EUR
119+1.95 EUR
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MJE350G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 30...240
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Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
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