MJE5731AG

MJE5731AG ON Semiconductor


mje5730-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
143+1.01 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJE5731AG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote MJE5731AG nach Preis ab 0.85 EUR bis 2.9 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MJE5731AG MJE5731AG Hersteller : onsemi MJE5730_D-2316289.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V
auf Bestellung 10432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.59 EUR
10+1.04 EUR
100+0.95 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AG MJE5731AG Hersteller : onsemi mje5730-d.pdf Description: TRANS PNP 375V 1A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.9 EUR
50+1.39 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AG MJE5731AG Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014421709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AG MJE5731AG Hersteller : ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AG MJE5731AG Hersteller : ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AG MJE5731AG Hersteller : ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJE5731AG MJE5731AG Hersteller : ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH