MJE5731AG ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 500+ | 0.8 EUR |
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Technische Details MJE5731AG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJE5731AG nach Preis ab 0.63 EUR bis 2.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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MJE5731AG | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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MJE5731AG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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MJE5731AG | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V |
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MJE5731AG | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 375V 1A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V Power - Max: 40 W |
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MJE5731AG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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MJE5731AG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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MJE5731AG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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MJE5731AG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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MJE5731AG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| MJE5731AG | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 375V; 1A; 40W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 375V Collector current: 1A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Current gain: 30...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 10MHz |
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