MJE5731G ON Semiconductor
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Technische Details MJE5731G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJE5731G nach Preis ab 0.71 EUR bis 3.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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MJE5731G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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MJE5731G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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MJE5731G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP |
auf Bestellung 1630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE5731G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 350V 1A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 40 W |
auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJE5731G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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MJE5731G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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MJE5731G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJE5731G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJE5731G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 1A; 40W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 1A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Current gain: 30...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 10MHz |
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