MJE5850G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 8A TO220
Power - Max: 80 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Technische Details MJE5850G onsemi
Description: TRANS PNP 300V 8A TO220, Power - Max: 80 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Supplier Device Package: TO-220, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MJE5850G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MJE5850G |
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Bipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
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