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MJE5851G

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Produktcode: 180290
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJE5851G MJE5851G onsemi mje5850-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
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MJE5851G MJE5851G onsemi MJE5850_D-2315747.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
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MJE5851G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
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MJE5851G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
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