MJE5851G ON Semiconductor
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Technische Details MJE5851G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 350V 8A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 80 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MJE5851G Produktcode: 180290
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 Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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MJE5851G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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MJE5851G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 350V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 80 W |
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MJE5851G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP |
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