MJF44H11G ON Semiconductor
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Technische Details MJF44H11G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJF44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote MJF44H11G nach Preis ab 1.38 EUR bis 3.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MJF44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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MJF44H11G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MJF44H11G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN |
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MJF44H11G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJF44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJF44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MJF44H11G | Hersteller : ON-Semicoductor |
NPN 10A 80V 2W MJF44H11G TMJF44h11g Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MJF44H11G Produktcode: 169245 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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MJF44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MJF44H11G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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MJF44H11G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 50MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJF44H11G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 36W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 50MHz |
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