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MJF44H11G

MJF44H11G ON Semiconductor

mjf44h11-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details MJF44H11G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJF44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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MJF44H11G MJF44H11G Hersteller : ON Semiconductor mjf44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MJF44H11G MJF44H11G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA8FFF8A5C6B51CC&compId=MJF44H11G-DTE.PDF?ci_sign=adb03b109efa686f7d16497074d94fbfd1825781 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Current gain: 60
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Current gain: 60
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Kind of package: tube
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MJF44H11G MJF44H11G Hersteller : onsemi MJF44H11_D-1811698.pdf Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
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MJF44H11G MJF44H11G Hersteller : onsemi mjf44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
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4+4.45 EUR
50+2.2 EUR
100+1.98 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.47 EUR
2000+1.36 EUR
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MJF44H11G MJF44H11G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013299343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJF44H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 36 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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MJF44H11G Hersteller : ON-Semicoductor mjf44h11-d.pdf NPN 10A 80V 2W MJF44H11G TMJF44h11g
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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MJF44H11G
Produktcode: 169245
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