Produkte > ONSEMI > MJL21196G
MJL21196G

MJL21196G onsemi


MJL21195_D-2316291.pdf Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+12.45 EUR
10+ 10.48 EUR
25+ 9.85 EUR
100+ 8.48 EUR
200+ 7.98 EUR
600+ 7.51 EUR
1000+ 6.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJL21196G onsemi

Description: ONSEMI - MJL21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 16A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MJL21196G

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MJL21196G MJL21196G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0011213449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJL21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MJL21196G MJL21196G
Produktcode: 67074
mjl21195-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MJL21196G MJL21196G Hersteller : ON Semiconductor mjl21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJL21196G MJL21196G Hersteller : ON Semiconductor mjl21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJL21196G MJL21196G Hersteller : ON Semiconductor mjl21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJL21196G MJL21196G Hersteller : onsemi mjl21195-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 16A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
Produkt ist nicht verfügbar