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MJPE45H11-QZ

MJPE45H11-QZ Nexperia


MJPE45H11-Q.pdf
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJPE45H11-Q/SOT1289B/CFP15
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Technische Details MJPE45H11-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - MJPE45H11-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 2.25 W, CFP15B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.25W, Bauform - Transistor: CFP15B, Dauerkollektorstrom: 8A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MJPE45H11-QZ MJPE45H11-QZ Hersteller : Nexperia USA Inc. MJPE45H11-Q.pdf Description: MJPE45H11-Q/SOT1289B/CFP15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: CFP15B
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.65 W
Qualification: AEC-Q101
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MJPE45H11-QZ MJPE45H11-QZ Hersteller : NEXPERIA MJPE45H11-Q.pdf Description: NEXPERIA - MJPE45H11-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 2.25 W, CFP15B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.25W
Bauform - Transistor: CFP15B
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJPE45H11-QZ MJPE45H11-QZ Hersteller : NEXPERIA MJPE45H11-Q.pdf Description: NEXPERIA - MJPE45H11-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 2.25 W, CFP15B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MJPE45H11-QZ MJPE45H11-QZ Hersteller : Nexperia USA Inc. MJPE45H11-Q.pdf Description: MJPE45H11-Q/SOT1289B/CFP15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: CFP15B
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.65 W
Qualification: AEC-Q101
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