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Technische Details MJW21196G onsemi
Description: ONSEMI - MJW21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 16A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MJW21196G nach Preis ab 3.42 EUR bis 35.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MJW21196G | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS NPN 250V 16A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 200 W |
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MJW21196G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3 Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: NPN Case: TO247-3 Collector current: 16A Power dissipation: 200W Collector-emitter voltage: 250V Frequency: 4MHz Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJW21196G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3 Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: NPN Case: TO247-3 Collector current: 16A Power dissipation: 200W Collector-emitter voltage: 250V Frequency: 4MHz Polarisation: bipolar |
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MJW21196G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJW21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 16A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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MJW21196G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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MJW21196G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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MJW21196G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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MJW21196G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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MJW21196G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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MJW21196G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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