Produkte > ONSEMI > MJW21196G
MJW21196G

MJW21196G onsemi

mjw21195-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+10.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MJW21196G onsemi

Description: TRANS NPN 250V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V, Power - Max: 200 W.

Weitere Produktangebote MJW21196G nach Preis ab 5.69 EUR bis 10.89 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MJW21196G MJW21196G Hersteller : onsemi MJW21195_D-2315975.pdf Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
auf Bestellung 3451 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+10.89 EUR
10+ 9.15 EUR
30+ 8.45 EUR
120+ 7.41 EUR
420+ 6.42 EUR
1050+ 6.21 EUR
2520+ 5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5
MJW21196G MJW21196G Hersteller : ON Semiconductor mjw21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196G MJW21196G Hersteller : ON Semiconductor mjw21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196G MJW21196G Hersteller : ON Semiconductor mjw21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196G MJW21196G Hersteller : ON Semiconductor mjw21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196G MJW21196G Hersteller : ON Semiconductor mjw21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196G MJW21196G Hersteller : ON Semiconductor mjw21195-d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
MJW21196G MJW21196G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJW21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 16A
Produkt ist nicht verfügbar