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MKE38P600LB

MKE38P600LB Littelfuse


discrete_mosfets_smpd_packages_mke38p600lb_datasheet.pdf.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 9-Pin SMPD
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Technische Details MKE38P600LB Littelfuse

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 600V; 50A; SMPD; double series, Semiconductor structure: double series, Reverse recovery time: 660ns, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 50A, On-state resistance: 45mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.19µC, Technology: CoolMOS™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: SMPD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MKE38P600LB Hersteller : IXYS SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief_01.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 600V; 50A; SMPD; double series
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 660ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SMPD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MKE38P600LB Hersteller : IXYS SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief_01.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
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MKE38P600LB MKE38P600LB Hersteller : IXYS SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief_01-313747.pdf MOSFET SMPD MOSFETs
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MKE38P600LB Hersteller : IXYS SMPD%20MOSFET%20and%20IGBTs_Product%20Brief_01.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 600V; 50A; SMPD; double series
Semiconductor structure: double series
Reverse recovery time: 660ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.19µC
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SMPD
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