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MMBF170LT1G

MMBF170LT1G ON Semiconductor

mmbf170lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBF170LT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 225mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V.

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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ONSEMI MMBF170LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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845+ 0.085 EUR
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ONSEMI MMBF170LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
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Kind of package: reel; tape
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : onsemi MMBF170LT1_D-2316014.pdf MOSFET 60V 500mA N-Channel
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ONSEMI 2353876.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ONSEMI 2353876.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
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Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbf170lt1-d.pdf N-MOSFET 0.5A 60V 60W 225mW 5Ω MMBF170, MMBF170LT1G, MMBF170-7-F, MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R) MMBF170 ONS TMMBF170lt1
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : onsemi mmbf170lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : onsemi mmbf170lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
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