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MMBF170LT1G

MMBF170LT1G ON Semiconductor

mmbf170lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBF170LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : onsemi mmbf170lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
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3000+0.08 EUR
6000+0.072 EUR
9000+0.068 EUR
15000+0.063 EUR
21000+0.06 EUR
30000+0.057 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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1050+0.13 EUR
1427+0.094 EUR
1563+0.083 EUR
3000+0.061 EUR
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ONSEMI MMBF170LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5Ω
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278+0.26 EUR
348+0.21 EUR
397+0.18 EUR
566+0.13 EUR
665+0.11 EUR
979+0.073 EUR
1166+0.061 EUR
1500+0.055 EUR
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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416+0.35 EUR
685+0.2 EUR
1092+0.12 EUR
1484+0.087 EUR
1690+0.073 EUR
3000+0.058 EUR
6000+0.047 EUR
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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652+0.21 EUR
658+0.2 EUR
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1427+0.083 EUR
1563+0.073 EUR
3000+0.056 EUR
6000+0.041 EUR
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : onsemi mmbf170lt1-d.pdf MOSFETs 60V 500mA N-Channel
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8+0.39 EUR
12+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.097 EUR
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : onsemi mmbf170lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
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46+0.39 EUR
75+0.24 EUR
119+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ONSEMI 2353876.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12992 Stücke:
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ONSEMI 2353876.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 22864 Stücke:
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ONSEMI 2353876.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBF170LT1G Hersteller : ON-Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf N-MOSFET 0.5A 60V 60W 225mW 5Ω MMBF170, MMBF170LT1G, MMBF170-7-F, MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R) MMBF170 ONS TMMBF170lt1
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6064 Stücke:
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Anzahl Preis
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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MMBF170LT1G Hersteller : On Semiconductor MMBF170LT1-D.pdf N-кан. 60V, 0,5A, SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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