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MMBF170LT1G

MMBF170LT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBF170LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBF170LT1G MMBF170LT1G ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G onsemi mmbf170lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
auf Bestellung 39000 Stücke:
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3000+0.11 EUR
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G ON Semiconductor mmbf170lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
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422+0.43 EUR
694+0.25 EUR
1108+0.15 EUR
1504+0.11 EUR
1716+0.09 EUR
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G onsemi mmbf170lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
auf Bestellung 39000 Stücke:
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36+0.58 EUR
61+0.35 EUR
85+0.25 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G onsemi mmbf170lt1-d.pdf MOSFETs 60V 500mA N-Channel
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5+0.65 EUR
10+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G ONSEMI 2353876.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 2989 Stücke:
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500+0.79 EUR
705+0.33 EUR
910+0.24 EUR
1165+0.18 EUR
1500+0.14 EUR
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G ONSEMI mmbf170lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.89 EUR
667+0.35 EUR
776+0.27 EUR
926+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
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MMBF170LT1G MMBF170LT1G ONSEMI MMBF170LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6091 Stücke:
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MMBF170LT1G mmbf170lt1-d.pdf
MMBF170LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.094 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBF170LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.094 EUR
6000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBF170LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
6000+0.1 EUR
12000+0.095 EUR
27000+0.092 EUR
51000+0.089 EUR
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MMBF170LT1G mmbf170lt1-d.pdf
MMBF170LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
6000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBF170LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
442+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 442 Stücke
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MMBF170LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
422+0.43 EUR
694+0.25 EUR
1108+0.15 EUR
1504+0.11 EUR
1716+0.09 EUR
3000+0.069 EUR
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MMBF170LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+0.58 EUR
61+0.35 EUR
85+0.25 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
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MMBF170LT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 60V 500mA N-Channel
auf Bestellung 81005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.65 EUR
10+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBF170LT1G 2353876.pdf
MMBF170LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 2989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.79 EUR
705+0.33 EUR
910+0.24 EUR
1165+0.18 EUR
1500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF170LT1G mmbf170lt1-d.pdf
MMBF170LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF170LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
281+0.89 EUR
667+0.35 EUR
776+0.27 EUR
926+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBF170LT1G MMBF170LT1G.PDF
MMBF170LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6091 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH