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MMBFJ177LT1G

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Produktcode: 32363
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G onsemi mmbfj177lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
auf Bestellung 19255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G ON Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
12000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G ONSEMI MMBFJ177LT1G.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
auf Bestellung 12992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.51 EUR
167+0.43 EUR
192+0.37 EUR
281+0.25 EUR
338+0.21 EUR
424+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
1500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G onsemi mmbfj177lt1-d.pdf Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
auf Bestellung 19473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
35+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G onsemi mmbfj177lt1-d.pdf JFETs 25V 10mA
auf Bestellung 100077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.82 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G ONSEMI 2353878.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
auf Bestellung 20013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G ONSEMI 2353878.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
auf Bestellung 20013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G ONSEMI 2353878.pdf Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -1.5mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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MMBFJ177LT1G ON-Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBFJ177LT1G ON-Semiconductor mmbfj177lt1-d.pdf Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3397 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBFJ177LT1G mmbfj177lt1-d.pdf
MMBFJ177LT1G
Hersteller: onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
auf Bestellung 19255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBFJ177LT1G mmbfj177lt1-d.pdf
MMBFJ177LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
12000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G.PDF
MMBFJ177LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.5mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Gate-source voltage: 30V
auf Bestellung 12992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
139+0.51 EUR
167+0.43 EUR
192+0.37 EUR
281+0.25 EUR
338+0.21 EUR
424+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
1500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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MMBFJ177LT1G mmbfj177lt1-d.pdf
MMBFJ177LT1G
Hersteller: onsemi
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
auf Bestellung 19473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
22+0.81 EUR
35+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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MMBFJ177LT1G mmbfj177lt1-d.pdf
MMBFJ177LT1G
Hersteller: onsemi
JFETs 25V 10mA
auf Bestellung 100077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4+0.82 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ177LT1G 2353878.pdf
MMBFJ177LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
auf Bestellung 20013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ177LT1G 2353878.pdf
MMBFJ177LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
auf Bestellung 20013 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ177LT1G 2353878.pdf
MMBFJ177LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -1.5mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ177LT1G mmbfj177lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBFJ177LT1G mmbfj177lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3397 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH