MMBFJ177LT1G
Produktcode: 32363
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote MMBFJ177LT1G nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBFJ177LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 300 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-JFET; unipolar; 1.5mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: P-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 1.5mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 300Ω |
auf Bestellung 1475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 300 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V |
auf Bestellung 45428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Hersteller : onsemi |
JFETs 25V 10mA |
auf Bestellung 105387 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -1.5mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| MMBFJ177LT1G | Hersteller : ON-Semiconductor |
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| MMBFJ177LT1G | Hersteller : ON-Semiconductor |
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215; MMBFJ177LT1G TMMBFJ177Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 4397 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
MMBFJ177LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| MMBFJ177LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 11 @ 10, Rds = 300 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 800 мВ @ 10 нА, Idss = 1,5 мА @ 15 В,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| MMBFJ177LT1G | Hersteller : On Semiconductor |
SOT23-3/ SMALL SIGNAL JFET 30V Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |





