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Technische Details MMBFJ310LT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 24mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MMBFJ310LT3G nach Preis ab 0.14 EUR bis 5.15 EUR
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MMBFJ310LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
 RF Power Field Effect Transistor |
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MMBFJ310LT3G | Hersteller : onsemi |
Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 60mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Gain: 12dB Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 10 V Current - Test: 10 mA |
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MMBFJ310LT3G | Hersteller : onsemi |
JFETs 25V 10mA |
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MMBFJ310LT3G | Hersteller : onsemi |
Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 60mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Gain: 12dB Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 10 V Current - Test: 10 mA |
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MMBFJ310LT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 24mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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MMBFJ310LT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ310LT3G - JFET-Transistor, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 25V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 11050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBFJ310LT3G | Hersteller : onsemi |
Транз. Пол. ММ N-FET Low noise SOT23 Udss=25V; Idssmax=0,06A; Pdmax=0,25W; Yfsmin=10mS |
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MMBFJ310LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBFJ310LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
RF Power Field Effect Transistor |
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