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MMBT 2907A LT1

MMBT 2907A LT1 Infineon Technologies

smbt2907a.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
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Technische Details MMBT 2907A LT1 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 225 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT2907ALT1 ONSEMI INFNS17336-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Hersteller: ONSEMI
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