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MMBT 2907A LT1

MMBT 2907A LT1 Infineon Technologies

smbt2907a.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
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Technische Details MMBT 2907A LT1 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 225 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT2907ALT1 Hersteller : ONSEMI INFNS17336-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MMBT2907ALT1 MMBT2907ALT1 Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT1 MMBT2907ALT1 Hersteller : Infineon Technologies mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
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MMBT2907ALT1 MMBT2907ALT1 Hersteller : onsemi MMBT2907ALT1_D-2316088.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
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