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MMBT2222ALP4-7B

MMBT2222ALP4-7B Diodes Zetex

mmbt2222alp4.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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Technische Details MMBT2222ALP4-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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MMBT2222ALP4-7B MMBT2222ALP4-7B Hersteller : Diodes Incorporated MMBT2222ALP4.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 980000 Stücke:
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MMBT2222ALP4-7B MMBT2222ALP4-7B Hersteller : Diodes Incorporated MMBT2222ALP4.pdf Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10
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100+0.10 EUR
1000+0.08 EUR
2500+0.07 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
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MMBT2222ALP4-7B MMBT2222ALP4-7B Hersteller : Diodes Incorporated MMBT2222ALP4.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 992321 Stücke:
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Anzahl Preis
44+0.40 EUR
73+0.24 EUR
117+0.15 EUR
500+0.11 EUR
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2000+0.09 EUR
5000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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MMBT2222ALP4-7B MMBT2222ALP4-7B Hersteller : DIODES INC. DIODS15403-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 9193 Stücke:
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MMBT2222ALP4-7B MMBT2222ALP4-7B Hersteller : DIODES INC. DIODS15403-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT2222ALP4-7B MMBT2222ALP4-7B Hersteller : Diodes Inc mmbt2222alp4.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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MMBT2222ALP4-7B MMBT2222ALP4-7B Hersteller : Diodes Zetex mmbt2222alp4.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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MMBT2222ALP4-7B Hersteller : DIODES INCORPORATED MMBT2222ALP4.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1W; X2-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1W
Case: X2-DFN1006-3
Current gain: 35...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 10000pcs.
Pulsed collector current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MMBT2222ALP4-7B Hersteller : DIODES INCORPORATED MMBT2222ALP4.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1W; X2-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1W
Case: X2-DFN1006-3
Current gain: 35...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 10000pcs.
Pulsed collector current: 0.8A
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