MMBT2222ALP4-7B Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.6A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.11 EUR |
| 30000+ | 0.099 EUR |
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Technische Details MMBT2222ALP4-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBT2222ALP4-7B nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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MMBT2222ALP4-7B | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10 |
auf Bestellung 31797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT2222ALP4-7B | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A X2-DFN1006-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 252500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT2222ALP4-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2222ALP4-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222ALP4-7B |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10
auf Bestellung 31797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.61 EUR |
| 13+ | 0.27 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
| 500+ | 0.19 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| 2500+ | 0.14 EUR |
| 5000+ | 0.12 EUR |
| MMBT2222ALP4-7B |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.6A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 40V 0.6A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 252500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 0.67 EUR |
| 53+ | 0.4 EUR |
| 63+ | 0.33 EUR |
| 73+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.25 EUR |
| MMBT2222ALP4-7B |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 272+ | 0.92 EUR |
| 579+ | 0.4 EUR |
| 715+ | 0.3 EUR |
| 935+ | 0.23 EUR |
| 1063+ | 0.2 EUR |
| MMBT2222ALP4-7B |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 272+ | 0.92 EUR |
| 579+ | 0.4 EUR |
| 715+ | 0.3 EUR |
| 935+ | 0.23 EUR |
| 1063+ | 0.2 EUR |


