MMBT2222ALP4-7B Diodes Zetex
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Technische Details MMBT2222ALP4-7B Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MMBT2222ALP4-7B nach Preis ab 0.045 EUR bis 0.39 EUR
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MMBT2222ALP4-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
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MMBT2222ALP4-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
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MMBT2222ALP4-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A X2-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW Qualification: AEC-Q101 |
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MMBT2222ALP4-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10 |
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MMBT2222ALP4-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A X2-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 460 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 588021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT2222ALP4-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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MMBT2222ALP4-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT2222ALP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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MMBT2222ALP4-7B | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
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MMBT2222ALP4-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
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| MMBT2222ALP4-7B | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1W; X2-DFN1006-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1W Case: X2-DFN1006-3 Current gain: 35...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.8A Quantity in set/package: 10000pcs. |
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