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MMBT2222ALT3G

MMBT2222ALT3G onsemi

mmbt2222lt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
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Technische Details MMBT2222ALT3G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT2222ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT2222ALT3G MMBT2222ALT3G ONSEMI ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: NPN
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Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT2222ALT3G
Hersteller: ONSEMI
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MMBT2222ALT3G
Hersteller: ONSEMI
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