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MMBT2222ATT1G

MMBT2222ATT1G ON Semiconductor

mmbt2222att1d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
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Technische Details MMBT2222ATT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G ON Semiconductor mmbt2222att1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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4167+0.035 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4167
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MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G ON Semiconductor mmbt2222att1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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6000+0.033 EUR
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MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G ONSEMI MMBT2222ATT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 2198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
715+0.1 EUR
962+0.074 EUR
1276+0.056 EUR
1425+0.05 EUR
1731+0.041 EUR
1909+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 715
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MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G onsemi mmbt2222att1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT SS SC75 GP XSTR NPN 40V
auf Bestellung 70770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.21 EUR
22+0.13 EUR
100+0.097 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.062 EUR
3000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G onsemi mmbt2222att1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.25 EUR
114+0.15 EUR
184+0.096 EUR
500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G ONSEMI 1878256.pdf Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2200 Stücke:
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MMBT2222ATT1G MMBT2222ATT1G ON Semiconductor mmbt2222att1d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 714 Stücke:
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Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Anzahl Preis
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6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4167
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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4167+0.035 EUR
6000+0.033 EUR
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MMBT2222ATT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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Anzahl Preis
715+0.1 EUR
962+0.074 EUR
1276+0.056 EUR
1425+0.05 EUR
1731+0.041 EUR
1909+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 715
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BJT SS SC75 GP XSTR NPN 40V
auf Bestellung 70770 Stücke:
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Anzahl Preis
14+0.21 EUR
22+0.13 EUR
100+0.097 EUR
500+0.07 EUR
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MMBT2222ATT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
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184+0.096 EUR
500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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MMBT2222ATT1G 1878256.pdf
MMBT2222ATT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MMBT2222ATT1G ONSM-S-A0013299689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2222ATT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MMBT2222ATT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R
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