MMBT2222ATT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMBT2222ATT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MMBT2222ATT1G nach Preis ab 0.029 EUR bis 0.25 EUR
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MMBT2222ATT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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MMBT2222ATT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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MMBT2222ATT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
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MMBT2222ATT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC75; SOT416 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
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MMBT2222ATT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BJT SS SC75 GP XSTR NPN 40V |
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MMBT2222ATT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
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MMBT2222ATT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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MMBT2222ATT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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MMBT2222ATT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2222ATT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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MMBT2222ATT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2222ATT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R |
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