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MMBT2222AWT1G

MMBT2222AWT1G onsemi

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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SC-70 GP XSTR NPN 40V
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Technische Details MMBT2222AWT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT2222AWT1G MMBT2222AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013776999-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: NPN
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Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT2222AWT1G ON-Semiconductor mmbt2222awt1-d.pdf description NPN 600mA 40V 150mW 300MHz MMBT2222AWT1G TMMBT2222awt
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MMBT2222AWT1G
Hersteller: ONSEMI
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Bauform - Transistor: SOT-323
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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MMBT2222AWT1G description mmbt2222awt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
NPN 600mA 40V 150mW 300MHz MMBT2222AWT1G TMMBT2222awt
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Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,15 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
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