MMBT2222AWT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.17 EUR |
| 725+ | 0.12 EUR |
| 1034+ | 0.082 EUR |
| 1214+ | 0.07 EUR |
| 1498+ | 0.057 EUR |
| 1767+ | 0.048 EUR |
| 2084+ | 0.04 EUR |
| 2294+ | 0.037 EUR |
| 3000+ | 0.031 EUR |
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Technische Details MMBT2222AWT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBT2222AWT1G nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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MMBT2222AWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 18606 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2222AWT1G | ONSEMI |
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auf Bestellung 18606 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2222AWT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SC-70 GP XSTR NPN 40V |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMBT2222AWT1G | ON-Semiconductor |
NPN 600mA 40V 150mW 300MHz MMBT2222AWT1G TMMBT2222awtAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 4825 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT2222AWT1G | ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,15 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 8880 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBT2222AWT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 18606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 820+ | 0.31 EUR |
| 1563+ | 0.14 EUR |
| 2193+ | 0.098 EUR |
| 3087+ | 0.069 EUR |
| 3585+ | 0.06 EUR |
| MMBT2222AWT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 18606 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 820+ | 0.31 EUR |
| 1563+ | 0.14 EUR |
| 2193+ | 0.098 EUR |
| 3087+ | 0.069 EUR |
| 3585+ | 0.06 EUR |
| MMBT2222AWT1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SC-70 GP XSTR NPN 40V
Bipolar Transistors - BJT SS SC-70 GP XSTR NPN 40V
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.52 EUR |
| 15+ | 0.23 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.082 EUR |
| 1000+ | 0.071 EUR |
| 3000+ | 0.061 EUR |
| MMBT2222AWT1G |
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Hersteller: ON-Semiconductor
NPN 600mA 40V 150mW 300MHz MMBT2222AWT1G TMMBT2222awt
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
NPN 600mA 40V 150mW 300MHz MMBT2222AWT1G TMMBT2222awt
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 4825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.08 EUR |
| MMBT2222AWT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,15 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,15 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 8880 Stücke:



