MMBT2222LT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMBT2222LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MMBT2222LT1G nach Preis ab 0.017 EUR bis 0.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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MMBT2222LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT2222LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT2222LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2222LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2222LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT2222LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
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MMBT2222LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3403 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT2222LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
auf Bestellung 3403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2222LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V |
auf Bestellung 220193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT2222LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 137896 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT2222LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2222LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT2222LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT2222LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT2222LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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