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MMBT2222LT1G

MMBT2222LT1G ON Semiconductor

mmbt2222lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT2222LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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6000+0.029 EUR
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 35978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.04 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.051 EUR
6000+0.048 EUR
9000+0.047 EUR
27000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ONSEMI MMBT2222.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 2483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.14 EUR
820+0.087 EUR
1323+0.054 EUR
1859+0.038 EUR
2156+0.033 EUR
2483+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
auf Bestellung 116688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.23 EUR
21+0.14 EUR
100+0.084 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.053 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 35978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.23 EUR
132+0.13 EUR
214+0.082 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT2222LT1G ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
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MMBT2222LT1G ON-Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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MMBT2222LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
4238+0.034 EUR
6000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 4238 Stücke
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MMBT2222LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
4274+0.034 EUR
6000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 4274 Stücke
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MMBT2222LT1G mmbt2222lt1-d.pdf
MMBT2222LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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AnzahlPreis
4274+0.034 EUR
6000+0.03 EUR
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MMBT2222LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 35978 Stücke:
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3000+0.04 EUR
6000+0.036 EUR
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Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.051 EUR
6000+0.048 EUR
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MMBT2222LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 2483 Stücke:
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AnzahlPreis
500+0.14 EUR
820+0.087 EUR
1323+0.054 EUR
1859+0.038 EUR
2156+0.033 EUR
2483+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
auf Bestellung 116688 Stücke:
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13+0.23 EUR
21+0.14 EUR
100+0.084 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.053 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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MMBT2222LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 35978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
77+0.23 EUR
132+0.13 EUR
214+0.082 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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MMBT2222LT1G ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2222LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: ON-Semiconductor
NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
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Hersteller: ON-Semiconductor
NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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