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MMBT2222LT1G

MMBT2222LT1G ON Semiconductor


mmbt2222lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT2222LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Hersteller : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
417+0.17 EUR
834+0.09 EUR
1516+0.05 EUR
3165+0.02 EUR
3334+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBDBC7BD075F280C7&compId=MMBT2222.PDF?ci_sign=6b9501ec688ce9f05a229b3a4a1c53ed2d4b2134 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
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834+0.09 EUR
1516+0.05 EUR
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Hersteller : onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
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1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Hersteller : onsemi MMBT2222LT1_D-1811600.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 30V
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23+0.12 EUR
100+0.08 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.06 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2222LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT2222LT1G MMBT2222LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2222LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt2222lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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MMBT2222LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt2222lt1-d.pdf NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 MMBT2222LT1G TMMBT2222
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2200 Stücke:
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1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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