MMBT2907A RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 56+ | 0.38 EUR |
| 91+ | 0.23 EUR |
| 146+ | 0.14 EUR |
| 500+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.092 EUR |
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Technische Details MMBT2907A RFG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 350 mW.
Weitere Produktangebote MMBT2907A RFG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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MMBT2907A RFG | Taiwan Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBT2907A RFG | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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MMBT2907A RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 350 mW |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MMBT2907A RFG | Taiwan Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT -60V, -0.6A, PNP Bipolar Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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MMBT2907A RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.35W; SOT23-3 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23-3 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBT2907A RFG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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| MMBT2907A RFG |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3
Description: TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23-3
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| MMBT2907A RFG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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| MMBT2907A RFG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT -60V, -0.6A, PNP Bipolar Transistor
Bipolar Transistors - BJT -60V, -0.6A, PNP Bipolar Transistor
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Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| MMBT2907A RFG |
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.35W; SOT23-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.35W; SOT23-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23-3
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
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Stück im Wert von UAH