Technische Details MMBT2907ALT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBT2907ALT3G nach Preis ab 0.032 EUR bis 0.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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MMBT2907ALT3G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 30812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2907ALT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2907ALT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 30812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT2907ALT3G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP |
auf Bestellung 30145 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT2907ALT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 62306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MMBT2907ALT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 62306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBT2907ALT3G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3650+ | 0.049 EUR |
| 3691+ | 0.046 EUR |
| 3718+ | 0.045 EUR |
| 6000+ | 0.042 EUR |
| 15000+ | 0.033 EUR |
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| MMBT2907ALT3G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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| 10000+ | 0.058 EUR |
| 30000+ | 0.057 EUR |
| MMBT2907ALT3G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 978+ | 0.18 EUR |
| 1471+ | 0.12 EUR |
| 1486+ | 0.11 EUR |
| 2198+ | 0.071 EUR |
| 3611+ | 0.042 EUR |
| 3650+ | 0.039 EUR |
| 3691+ | 0.037 EUR |
| 6000+ | 0.035 EUR |
| MMBT2907ALT3G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 0.27 EUR |
| 21+ | 0.17 EUR |
| 100+ | 0.099 EUR |
| 500+ | 0.075 EUR |
| 1000+ | 0.063 EUR |
| 2500+ | 0.061 EUR |
| MMBT2907ALT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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| MMBT2907ALT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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