Produkte > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2907ALT3G
MMBT2907ALT3G

MMBT2907ALT3G ON Semiconductor


mmbt2907alt1d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.021 EUR
20000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MMBT2907ALT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote MMBT2907ALT3G nach Preis ab 0.015 EUR bis 0.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.024 EUR
30000+0.023 EUR
50000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 58806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4116+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 4116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 58806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2268+0.064 EUR
2907+0.048 EUR
2924+0.046 EUR
3402+0.038 EUR
3425+0.036 EUR
4116+0.029 EUR
5587+0.02 EUR
5883+0.019 EUR
7353+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 2268
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : onsemi MMBT2907ALT1_D-1811514.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
auf Bestellung 20500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+0.25 EUR
18+0.16 EUR
100+0.1 EUR
500+0.067 EUR
1000+0.053 EUR
5000+0.046 EUR
10000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 74147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 74352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ONSEMI mmbt2907alt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ONSEMI mmbt2907alt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH