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MMBT2907ALT3G ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT2907ALT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 40000 Stücke:
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10000+0.045 EUR
20000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 28834 Stücke:
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3637+0.048 EUR
3677+0.046 EUR
3704+0.045 EUR
6000+0.043 EUR
15000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3637 Stücke
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MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 28834 Stücke:
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978+0.18 EUR
1465+0.11 EUR
1478+0.11 EUR
2179+0.07 EUR
3598+0.04 EUR
3637+0.039 EUR
3677+0.037 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 978 Stücke
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MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 47945 Stücke:
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72+0.3 EUR
114+0.18 EUR
185+0.11 EUR
500+0.082 EUR
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2000+0.064 EUR
5000+0.055 EUR
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MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
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11+0.31 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
2500+0.069 EUR
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MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 61506 Stücke:
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758+0.33 EUR
1268+0.18 EUR
2033+0.11 EUR
2653+0.081 EUR
3258+0.065 EUR
5000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 758 Stücke
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MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G ONSEMI mmbt2907alt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 61476 Stücke:
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672+0.37 EUR
1086+0.21 EUR
1783+0.12 EUR
2376+0.09 EUR
3087+0.069 EUR
5000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 672 Stücke
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MMBT2907ALT3G mmbt2907alt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
10000+0.043 EUR
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Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 70000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
10000+0.043 EUR
20000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.044 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 40000 Stücke:
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20000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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3677+0.046 EUR
3704+0.045 EUR
6000+0.043 EUR
15000+0.04 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 28834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
978+0.18 EUR
1465+0.11 EUR
1478+0.11 EUR
2179+0.07 EUR
3598+0.04 EUR
3637+0.039 EUR
3677+0.037 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 978 Stücke
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 47945 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
72+0.3 EUR
114+0.18 EUR
185+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.073 EUR
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Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
auf Bestellung 1054 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
11+0.31 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
2500+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 61506 Stücke:
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758+0.33 EUR
1268+0.18 EUR
2033+0.11 EUR
2653+0.081 EUR
3258+0.065 EUR
5000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 758 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G mmbt2907alt1-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 61476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
672+0.37 EUR
1086+0.21 EUR
1783+0.12 EUR
2376+0.09 EUR
3087+0.069 EUR
5000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 672 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH