Produkte > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2907ALT3G
MMBT2907ALT3G

MMBT2907ALT3G ON Semiconductor


mmbt2907alt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30912 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6411+0.023 EUR
6452+0.022 EUR
6536+0.021 EUR
7143+0.019 EUR
15000+0.018 EUR
30000+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 6411
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MMBT2907ALT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MMBT2907ALT3G nach Preis ab 0.016 EUR bis 0.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.024 EUR
30000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
20271+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 20271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.037 EUR
20000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1580+0.091 EUR
2470+0.056 EUR
2500+0.054 EUR
3788+0.034 EUR
6330+0.02 EUR
6411+0.019 EUR
6452+0.018 EUR
6536+0.017 EUR
7143+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 1580
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
auf Bestellung 19672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+0.23 EUR
21+0.14 EUR
100+0.083 EUR
500+0.063 EUR
1000+0.053 EUR
2500+0.051 EUR
5000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 44343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
117+0.15 EUR
190+0.093 EUR
500+0.067 EUR
1000+0.059 EUR
2000+0.052 EUR
5000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 62406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 62406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH