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MMBT2907AWT1G

MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

mmbt2907awt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Hersteller : onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
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3000+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
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21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
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2000+0.07 EUR
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MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Hersteller : ONSEMI mmbt2907awt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
625+0.11 EUR
758+0.09 EUR
1296+0.06 EUR
1634+0.04 EUR
2085+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Hersteller : ONSEMI mmbt2907awt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
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MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Hersteller : onsemi MMBT2907AWT1_D-1811901.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
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13+0.23 EUR
20+0.14 EUR
100+0.09 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Hersteller : onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 50418 Stücke:
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77+0.23 EUR
121+0.15 EUR
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1000+0.06 EUR
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MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30684 Stücke:
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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MMBT2907AWT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt2907awt1-d.pdf PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz MMBT2907AWT1G ON Semiconductor TMMBT2907aw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
600+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 600
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MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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