Produkte > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2907AWT1G
MMBT2907AWT1G

MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

mmbt2907awt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4652+0.039 EUR
9000+0.035 EUR
27000+0.033 EUR
51000+0.031 EUR
102000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4652 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 4652 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MMBT2907AWT1G nach Preis ab 0.031 EUR bis 0.35 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.058 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9405+0.071 EUR
10564+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 9405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 835942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9405+0.071 EUR
10564+0.063 EUR
100000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 9405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9405+0.071 EUR
10564+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 9405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 8647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1038+0.18 EUR
1693+0.1 EUR
2332+0.075 EUR
2771+0.061 EUR
3356+0.05 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1038 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 8647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
649+0.27 EUR
1038+0.17 EUR
1693+0.099 EUR
2332+0.069 EUR
2771+0.056 EUR
3356+0.044 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
114+0.18 EUR
186+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.35 EUR
16+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.086 EUR
1000+0.075 EUR
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ONSEMI mmbt2907awt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.058 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9405+0.071 EUR
10564+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 9405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 835942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9405+0.071 EUR
10564+0.063 EUR
100000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 9405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9405+0.071 EUR
10564+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 9405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 8647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1038+0.18 EUR
1693+0.1 EUR
2332+0.075 EUR
2771+0.061 EUR
3356+0.05 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1038 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 8647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
649+0.27 EUR
1038+0.17 EUR
1693+0.099 EUR
2332+0.069 EUR
2771+0.056 EUR
3356+0.044 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+0.3 EUR
114+0.18 EUR
186+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.35 EUR
16+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.086 EUR
1000+0.075 EUR
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2907AWT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT2907AWT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907AWT1G mmbt2907awt1-d.pdf
MMBT2907AWT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH