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MMBT3904WT1G

MMBT3904WT1G ON Semiconductor

mmbt3904wt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details MMBT3904WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT3904WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G
Produktcode: 85379
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : onsemi MMBT3904WT1_D-1811627.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : ONSEMI 2160719.pdf Description: ONSEMI - MMBT3904WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : ONSEMI 2160719.pdf Description: ONSEMI - MMBT3904WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT3904WT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt3904wt1-d.pdf NPN 40V 0.2A AUTOMOTIVE MMBT3904WT1G ONS TMMBT3904wt
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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600+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 600
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : ONSEMI mmbt3904wt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : ONSEMI mmbt3904wt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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