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MMBT3904WT1G

MMBT3904WT1G ON Semiconductor

mmbt3904wt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details MMBT3904WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT3904WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : ONSEMI 2160719.pdf Description: ONSEMI - MMBT3904WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10666 Stücke:
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : ONSEMI 2160719.pdf Description: ONSEMI - MMBT3904WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G
Produktcode: 85379
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 93000 Stücke:
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3000+0.04 EUR
6000+0.035 EUR
9000+0.033 EUR
15000+0.031 EUR
21000+0.029 EUR
30000+0.028 EUR
75000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 168000 Stücke:
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3000+0.051 EUR
6000+0.032 EUR
9000+0.029 EUR
27000+0.023 EUR
51000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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798+0.18 EUR
1294+0.11 EUR
1308+0.1 EUR
2093+0.062 EUR
2110+0.059 EUR
2907+0.041 EUR
3279+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 798
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : onsemi MMBT3904WT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
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14+0.21 EUR
23+0.12 EUR
100+0.077 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 98424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.21 EUR
139+0.13 EUR
228+0.077 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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MMBT3904WT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt3904wt1-d.pdf NPN 40V 0.2A AUTOMOTIVE MMBT3904WT1G ONS TMMBT3904wt
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
600+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 600
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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MMBT3904WT1G MMBT3904WT1G Hersteller : ONSEMI mmbt3904wt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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